200mm SiC උපස්ථර ව්‍යාජ ශ්‍රේණියේ 4H-N අඟල් 8 SiC වේෆර්
අඟල් 8 SiC උපස්ථර නිෂ්පාදනයේ තාක්ෂණික දුෂ්කරතා අතරට:
1. ස්ඵටික වර්ධනය: දෝෂ සහ අපද්‍රව්‍ය පාලනය කිරීම හේතුවෙන් විශාල විෂ්කම්භයකින් යුත් සිලිකන් කාබයිඩ්වල උසස් තත්ත්වයේ තනි ස්ඵටික වර්ධනයක් ලබා ගැනීම අභියෝගාත්මක විය හැකිය.
2.වේෆර් සැකසීම: අඟල් 8 වේෆර්වල විශාල ප්‍රමාණය, ඔප දැමීම, කැටයම් කිරීම සහ මාත්‍රණය කිරීම වැනි වේෆර් සැකසීමේදී ඒකාකාරිත්වය සහ දෝෂ පාලනය සම්බන්ධයෙන් අභියෝග ඉදිරිපත් කරයි.
3. ද්‍රව්‍ය සමජාතීයතාවය: සම්පූර්ණ අඟල් 8 SiC උපස්ථරය පුරා ස්ථාවර ද්‍රව්‍ය ගුණාංග සහ සමජාතීයතාවය සහතික කිරීම තාක්ෂණික වශයෙන් ඉල්ලුමක් ඇති අතර නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියේදී නිරවද්‍ය පාලනයක් අවශ්‍ය වේ.
4. පිරිවැය: නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන්හි සංකීර්ණත්වය සහ පිරිවැය හේතුවෙන් ඉහළ ද්‍රව්‍යමය ගුණාත්මකභාවය සහ අස්වැන්න පවත්වා ගනිමින් අඟල් 8 SiC උපස්ථර දක්වා පරිමාණය කිරීම ආර්ථික වශයෙන් අභියෝගාත්මක විය හැකිය.
5. ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත බල සහ දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල අඟල් 8 SiC උපස්ථර පුළුල් ලෙස භාවිතා කිරීම සඳහා මෙම තාක්ෂණික දුෂ්කරතා ආමන්ත්‍රණය කිරීම ඉතා වැදගත් වේ.
අපි ටැන්කේබ්ලූ ඇතුළු චීනයේ ප්‍රමුඛතම අපනයන SiC කර්මාන්තශාලා වලින් නිල් මැණික් උපස්ථර සපයන්නෙමු. වසර 10 කට වැඩි කාලයක් අපගේ නියෝජිතායතනය කර්මාන්ත ශාලාව සමඟ සමීප සම්බන්ධතාවයක් පවත්වා ගැනීමට අපට ඉඩ ලබා දී ඇත. හොඳම මිල සහ මිල ලබා දෙන අතරම දිගු කාලීන සහ ස්ථාවර සැපයුමක් සඳහා ඔබට අවශ්‍ය අඟල් 6 සහ අඟල් 8SiC උපස්ථර අපට ඔබට ලබා දිය හැකිය.
ටැන්කේබ්ලූ යනු තුන්වන පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) චිප් සංවර්ධනය, නිෂ්පාදනය සහ අලෙවිය සඳහා විශේෂිත වූ අධි තාක්ෂණික ව්‍යවසායයකි. මෙම සමාගම ලොව ප්‍රමුඛතම SiC වේෆර් නිෂ්පාදකයින්ගෙන් එකකි.
විස්තරාත්මක රූප සටහන
