අඟල් 2 සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් 6H-N වර්ගය ප්‍රයිම් ශ්‍රේණියේ පර්යේෂණ ශ්‍රේණියේ ව්‍යාජ ශ්‍රේණිය 330μm 430μm ඝණකම
සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆරයේ ලක්ෂණ පහත දැක්වේ:
1.සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆරය විශිෂ්ට විදුලි ගුණ සහ විශිෂ්ට තාප ගුණ ඇත. සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆර් අඩු තාප ප්‍රසාරණයක් ඇත.
2.Silicon carbide (SiC) වේෆරයට සුපිරි දෘඪතා ගුණ ඇත. සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆර් ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී හොඳින් ක්‍රියා කරයි.
3.සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆරය විඛාදනයට, ඛාදනයට සහ ඔක්සිකරණයට ඉහළ ප්‍රතිරෝධයක් ඇත. මීට අමතරව, සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆර් ද දියමන්ති හෝ ඝන සර්කෝනියා වලට වඩා දිලිසෙන වේ.
4.Better විකිරණ ප්‍රතිරෝධය: SIC වේෆර්වලට වඩා ප්‍රබල විකිරණ ප්‍රතිරෝධයක් ඇති අතර, ඒවා විකිරණ පරිසරවල භාවිතයට සුදුසු වේ. උදාහරණ ලෙස අභ්‍යවකාශ යානා සහ න්‍යෂ්ටික පහසුකම් ඇතුළත් වේ.
5.ඉහළ දෘඪතාව: SIC වේෆර් සිලිකන්වලට වඩා දෘඩ වන අතර, එය සැකසීමේදී වේෆර්වල කල්පැවැත්ම වැඩි කරයි.
6.පහළ පාර විද්‍යුත් නියතය: SIC වේෆර්වල පාර විද්‍යුත් නියතය සිලිකන් වලට වඩා අඩුය, එය උපාංගයේ පරපෝෂිත ධාරිතාව අඩු කිරීමට සහ අධි-සංඛ්‍යාත කාර්ය සාධනය වැඩි දියුණු කිරීමට උපකාරී වේ.
සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් යෙදුම් කිහිපයක් ඇත
SiC භාවිතා කරනුයේ ඩයෝඩ, බල ට්‍රාන්සිස්ටර සහ අධි බල මයික්‍රෝවේව් උපාංග වැනි ඉතා අධි-වෝල්ටීයතා සහ අධි බල උපාංග සැකසීම සඳහාය. සාම්ප්‍රදායික Si-උපාංග හා සසඳන විට, SiC මත පදනම් වූ බල උපාංගවලට වේගවත් මාරු වීමේ වේගය වැඩි වෝල්ටීයතා, අඩු පරපෝෂිත ප්‍රතිරෝධයන්, කුඩා ප්‍රමාණය, ඉහළ උෂ්ණත්ව හැකියාව හේතුවෙන් අඩු සිසිලනය අවශ්‍ය වේ.
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC-6H) - 6H වේෆරයට උසස් ඉලෙක්ට්රොනික ගුණ ඇති අතර, සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC-6H) - 6H වේෆර් ඉතා පහසුවෙන් සකස් කර ඇති අතර හොඳින් අධ්‍යයනය කර ඇත.
1.Power Electronics: Silicon Carbide Wafers විදුලි වාහන, පුනර්ජනනීය බලශක්ති පද්ධති සහ කාර්මික උපකරණ ඇතුළු පුළුල් පරාසයක යෙදීම් වල භාවිතා වන Power Electronics නිෂ්පාදනයේදී භාවිතා වේ. සිලිකන් කාබයිඩ් හි ඉහළ තාප සන්නායකතාවය සහ අඩු බල අලාභය මෙම යෙදුම් සඳහා කදිම ද්රව්යයක් බවට පත් කරයි.
2.LED ආලෝකකරණය: LED ආලෝකය නිෂ්පාදනය කිරීමේදී Silicon Carbide Wafers භාවිතා වේ. Silicon Carbide හි ඉහළ ශක්තිය සාම්ප්‍රදායික ආලෝක ප්‍රභවයන්ට වඩා කල් පවතින සහ කල් පවතින LED නිෂ්පාදනය කිරීමට හැකි වේ.
3.Semiconductor Devices: Silicon Carbide Wafers Semiconductor Devices නිෂ්පාදනයේදී භාවිතා වන අතර ඒවා විදුලි සංදේශ, පරිගණනය සහ පාරිභෝගික ඉලෙක්ට්රොනික උපකරණ ඇතුළු පුළුල් පරාසයක යෙදීම් වල භාවිතා වේ. සිලිකන් කාබයිඩ් හි ඉහළ තාප සන්නායකතාවය සහ අඩු බල අලාභය මෙම යෙදුම් සඳහා කදිම ද්රව්යයක් බවට පත් කරයි.
4.Solar Cells: Solar Cells නිෂ්පාදනයේදී Silicon Carbide Wafers භාවිතා වේ. Silicon Carbide හි ඇති අධික ශක්තිය නිසා සාම්ප්‍රදායික සූර්ය කෝෂ වලට වඩා කල් පවතින සහ කල් පවතින සූර්ය කෝෂ නිපදවීමට හැකි වේ.
සමස්තයක් වශයෙන්, ZMSH Silicon Carbide Wafer යනු පුළුල් පරාසයක යෙදුම්වල භාවිතා කළ හැකි බහුකාර්ය සහ උසස් තත්ත්වයේ නිෂ්පාදනයකි. එහි ඉහළ තාප සන්නායකතාවය, අඩු බලශක්ති අලාභය සහ ඉහළ ශක්තිය එය ඉහළ උෂ්ණත්ව සහ අධි බලැති ඉලෙක්ට්රොනික උපාංග සඳහා කදිම ද්රව්යයක් බවට පත් කරයි. ≤50um ක දුන්නක්/වෝර්ප් එකක්, මතුපිට රළුබව ≤1.2nm සහ ඉහළ/අඩු ප්‍රතිරෝධක ප්‍රතිරෝධයක් සහිත, Silicon Carbide Wafer යනු පැතලි සහ සිනිඳු මතුපිටක් අවශ්‍ය ඕනෑම යෙදුමක් සඳහා විශ්වාසදායක සහ කාර්යක්ෂම තේරීමකි.
අපගේ SiC උපස්ථර නිෂ්පාදනය ප්‍රශස්ත කාර්ය සාධනය සහ පාරිභෝගික තෘප්තිය සහතික කිරීම සඳහා පුළුල් තාක්ෂණික සහාය සහ සේවාවන් සමඟ පැමිණේ.
නිෂ්පාදන තේරීම, ස්ථාපනය සහ දෝශ නිරාකරණය සඳහා සහය වීමට අපගේ විශේෂඥ කණ්ඩායම ඇත.
අපගේ ගනුදෙනුකරුවන්ට ඔවුන්ගේ ආයෝජන උපරිම කර ගැනීමට උපකාර කිරීම සඳහා අපි අපගේ නිෂ්පාදන භාවිතය සහ නඩත්තු කිරීම පිළිබඳ පුහුණුව සහ අධ්‍යාපනය ලබා දෙන්නෙමු.
මීට අමතරව, අපගේ පාරිභෝගිකයින්ට සෑම විටම නවීන තාක්‍ෂණයට ප්‍රවේශය ඇති බව සහතික කිරීම සඳහා අපි අඛණ්ඩ නිෂ්පාදන යාවත්කාලීන කිරීම් සහ වැඩිදියුණු කිරීම් සපයන්නෙමු.
විස්තරාත්මක රූප සටහන
