අඟල් 6 GaN-On-Sapphire
150mm 6inch GaN මත Silicon/Sapphire/SiC Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial වේෆර්
අඟල් 6 නිල් මැණික් උපස්ථර වේෆර් යනු නිල් මැණික් උපස්ථරයක් මත වැඩෙන ගැලියම් නයිට්‍රයිඩ් (GaN) ස්ථර වලින් සමන්විත උසස් තත්ත්වයේ අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයකි. ද්රව්යය විශිෂ්ට ඉලෙක්ට්රොනික ප්රවාහන ගුණ ඇති අතර අධි බල සහ අධි-සංඛ්යාත අර්ධ සන්නායක උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා සුදුසු වේ.
නිෂ්පාදන ක්‍රමය: ලෝහ-කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (MOCVD) හෝ අණුක කදම්භ එපිටැක්සි (MBE) වැනි උසස් තාක්ෂණික ක්‍රම භාවිතා කරමින් නිල් මැණික් උපස්ථරයක් මත GaN ස්ථර වර්ධනය කිරීම නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියට ඇතුළත් වේ. ඉහළ ස්ඵටික තත්ත්ව සහ ඒකාකාරී චිත්රපටයක් සහතික කිරීම සඳහා පාලිත තත්ත්වයන් යටතේ තැන්පත් කිරීමේ ක්රියාවලිය සිදු කරනු ලැබේ.
6inch GaN-On-Sapphire යෙදුම්: අඟල් 6 නිල් මැණික් උපස්ථර චිප්ස් මයික්‍රෝවේව් සන්නිවේදන, රේඩාර් පද්ධති, රැහැන් රහිත තාක්ෂණය සහ ඔප්ටෝ ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් වල බහුලව භාවිතා වේ.
සමහර පොදු යෙදුම් ඇතුළත් වේ
1. Rf බල ඇම්ප්ලිෆයර්
2. LED ආලෝකකරණ කර්මාන්තය
3. රැහැන් රහිත ජාල සන්නිවේදන උපකරණ
4. අධික උෂ්ණත්ව පරිසරයක ඉලෙක්ට්රොනික උපාංග
5. Optoelectronic උපාංග
නිෂ්පාදන පිරිවිතර
- ප්‍රමාණය: උපස්ථර විෂ්කම්භය අඟල් 6 (මි.මී. 150 පමණ) වේ.
- මතුපිට ගුණාත්මකභාවය: විශිෂ්ට දර්පණ ගුණාත්මක භාවයක් ලබා දීම සඳහා මතුපිට මනාව ඔප දමා ඇත.
- ඝනකම: GaN ස්ථරයේ ඝණකම නිශ්චිත අවශ්යතා අනුව අභිරුචිකරණය කළ හැක.
- ඇසුරුම්කරණය: ප්‍රවාහනයේදී සිදුවන හානිය වළක්වා ගැනීම සඳහා උපස්ථරය ප්‍රති-ස්ථිතික ද්‍රව්‍ය වලින් ප්‍රවේශමෙන් අසුරා ඇත.
- ස්ථානගත කිරීමේ දාර: උපස්ථරයට උපාංග සැකසීමේදී පෙළගැස්වීමට සහ ක්‍රියාත්මක වීමට පහසුකම් සපයන විශේෂිත ස්ථානගත කිරීමේ දාර ඇත.
- අනෙකුත් පරාමිතීන්: සිහින් බව, ප්‍රතිරෝධය සහ මාත්‍රණ සාන්ද්‍රණය වැනි විශේෂිත පරාමිතීන් පාරිභෝගික අවශ්යතා අනුව සකස් කළ හැක.
ඒවායේ උසස් ද්‍රව්‍යමය ගුණාංග සහ විවිධ යෙදුම් සමඟින්, අඟල් 6 නිල් මැණික් උපස්ථර වේෆර් විවිධ කර්මාන්තවල ඉහළ ක්‍රියාකාරී අර්ධ සන්නායක උපාංග සංවර්ධනය සඳහා විශ්වාසදායක තේරීමක් වේ.
| උපස්ථරය | 6” 1mm <111> p-type Si | 6” 1mm <111> p-type Si |
| Epi ThickAvg | ~5 උ | ~7 උ |
| එපි ThickUnif | <2% | <2% |
| දුන්න | +/-45um | +/-45um |
| ඉරිතැලීම | <5මි.මී | <5මි.මී |
| සිරස් BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| සංචලනය | ~2000 සෙ.මී2/Vs (<2%) | ~2000 සෙ.මී2/Vs (<2%) |
| රු | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
විස්තරාත්මක රූප සටහන
