අඟල් 8 SiC නිෂ්පාදන ශ්‍රේණියේ වේෆර් 4H-N SiC උපස්ථරය
පහත වගුවේ අපගේ අඟල් 8 SiC වේෆර් වල පිරිවිතර පෙන්වයි:
| අඟල් 8 N-වර්ගයේ SiC DSP පිරිවිතර | |||||
| අංකය | අයිතමය | ඒකකය | නිෂ්පාදනය | පර්යේෂණ | ඩමී |
| 1: පරාමිතීන් | |||||
| 1.1 ශ්‍රේණිය | බහු වර්ගය | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 ශ්‍රේණිය | මතුපිට දිශානතිය | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2: විදුලි පරාමිතිය | |||||
| 2.1 ශ්‍රේණිය | මාත්‍රකය | -- | n-වර්ගයේ නයිට්‍රජන් | n-වර්ගයේ නයිට්‍රජන් | n-වර්ගයේ නයිට්‍රජන් |
| 2.2 2.2 ශ්‍රේණිය | ප්‍රතිරෝධකතාව | ඕම් ·සෙ.මී. | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3: යාන්ත්‍රික පරාමිතිය | |||||
| 3.1. | විෂ්කම්භය | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | ඝණකම | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3. | නොච් දිශානතිය | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4. | නොච් ගැඹුර | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5 | එල්ටීවී | μm | ≤5(මි.මී. 10*මි.මී. 10) | ≤5(මි.මී. 10*මි.මී. 10) | ≤10(මි.මී. 10*මි.මී. 10) |
| 3.6. | ටීටීවී | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7. | දුන්න | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 3.8 | වෝර්ප් | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 මාස්ටර් | ඒඑෆ්එම් | nm | රා≤0.2 | රා≤0.2 | රා≤0.2 |
| 4: ව්‍යුහය | |||||
| 4.1 ශ්‍රේණිය | ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ඉඒ/සෙ.මී2 | ≤2 ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 ශ්‍රේණිය | ලෝහ අන්තර්ගතය | පරමාණු/සෙ.මී.2 | ≤1E11 යනු කුමක්ද? | ≤1E11 යනු කුමක්ද? | NA |
| 4.3 ශ්‍රේණිය | ටීඑස්ඩී | ඉඒ/සෙ.මී2 | ≤500 ≤500 ට වඩා | ≤1000 ≤ | NA |
| 4.4 ශ්‍රේණිය | බීපීඩී | ඉඒ/සෙ.මී2 | ≤2000 ≤2000 | ≤5000 ≤2000 ට වඩා වැඩියි | NA |
| 4.5 | ටෙඩ් | ඉඒ/සෙ.මී2 | ≤7000 ක් | ≤10000 | NA |
| 5. ඉදිරිපස ගුණාත්මකභාවය | |||||
| 5.1 5.1 | ඉදිරිපස | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 5.2 | මතුපිට නිමාව | -- | සි-ෆේස් CMP | සි-ෆේස් CMP | සි-ෆේස් CMP |
| 5.3. | අංශුව | ea/වේෆර් | ≤100(ප්‍රමාණය≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 ශ්‍රේණිය | සීරීම | ea/වේෆර් | ≤5,මුළු දිග ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 ශ්‍රේණිය | දාරය චිප්ස්/ඉන්ඩෙන්ට්ස්/ඉරිතැලීම්/පැල්ලම්/දූෂණය | -- | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත | NA |
| 5.6 ශ්‍රේණිය | බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | -- | කිසිවක් නැත | ප්‍රදේශය ≤10% | ප්‍රදේශය ≤30% |
| 5.7 ශ්‍රේණිය | ඉදිරිපස සලකුණු කිරීම | -- | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත |
| 6:පසුපස ගුණාත්මකභාවය | |||||
| 6.1 ශ්‍රේණිය | පසුපස නිමාව | -- | සී-ෆේස් මන්ත්‍රී | සී-ෆේස් මන්ත්‍රී | සී-ෆේස් මන්ත්‍රී |
| 6.2 ශ්‍රේණිය | සීරීම | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 ශ්‍රේණිය | පිටුපස දෝෂ දාරය චිප්ස්/ඉන්ඩෙන්ට්ස් | -- | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත | NA |
| 6.4 ශ්‍රේණිය | පිටුපස රළුබව | nm | රා≤5 | රා≤5 | රා≤5 |
| 6.5 ශ්‍රේණිය | පසුපස සලකුණු කිරීම | -- | නොච් | නොච් | නොච් |
| 7: දාරය | |||||
| 7.1 | දාරය | -- | චැම්ෆර් | චැම්ෆර් | චැම්ෆර් |
| 8: පැකේජය | |||||
| 8.1 | ඇසුරුම්කරණය | -- | රික්තකය සමඟ එපි-රෙඩි ඇසුරුම්කරණය | රික්තකය සමඟ එපි-රෙඩි ඇසුරුම්කරණය | රික්තකය සමඟ එපි-රෙඩි ඇසුරුම්කරණය |
| 8.2 යි | ඇසුරුම්කරණය | -- | බහු-වේෆර් කැසට් ඇසුරුම් | බහු-වේෆර් කැසට් ඇසුරුම් | බහු-වේෆර් කැසට් ඇසුරුම් |
විස්තරාත්මක රූප සටහන
ඔබගේ පණිවිඩය මෙහි ලියා අපට එවන්න.