සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් තැටි - තාප සහ රසායනික යෙදුම් සඳහා කල් පවතින, ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත තැටි

කෙටි විස්තරය:

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න

විශේෂාංග

විස්තරාත්මක රූප සටහන

නිෂ්පාදන හැඳින්වීම

සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) සෙරමික් තැටි යනු ඉහළ උෂ්ණත්ව, අධික බර සහ රසායනිකව කටුක කාර්මික පරිසරයන්හි බහුලව භාවිතා වන ඉහළ කාර්ය සාධන සංරචක වේ. උසස් සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් ද්‍රව්‍ය වලින් නිර්මාණය කර ඇති මෙම තැටි, සුවිශේෂී යාන්ත්‍රික ශක්තිය, උසස් තාප සන්නායකතාවය සහ තාප කම්පනය, ඔක්සිකරණය සහ විඛාදනයට විශිෂ්ට ප්‍රතිරෝධයක් ලබා දීම සඳහා නිර්මාණය කර ඇත. ඒවායේ ශක්තිමත් ස්වභාවය අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය, ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා සැකසුම්, කුඩු ලෝහ කොටස් සින්ටර් කිරීම සහ තවත් බොහෝ කාර්මික යෙදුම් සඳහා ඒවා බෙහෙවින් සුදුසු කරයි.

මාන නිරවද්‍යතාවය, ව්‍යුහාත්මක අඛණ්ඩතාව සහ රසායනික ප්‍රතිරෝධය ඉතා වැදගත් වන තාප පිරියම් කිරීමේ ක්‍රියාවලීන්හිදී සිලිකන් කාබයිඩ් තැටි අත්‍යවශ්‍ය වාහක හෝ ආධාරක ලෙස සේවය කරයි. ඇලුමිනා හෝ මුල්ලයිට් වැනි සාම්ප්‍රදායික සෙරමික් ද්‍රව්‍ය හා සසඳන විට, SiC තැටි සැලකිය යුතු ලෙස ඉහළ කාර්ය සාධනයක් ලබා දෙයි, විශේෂයෙන් නැවත නැවත තාප චක්‍රය සහ ආක්‍රමණශීලී වායුගෝලයන් ඇතුළත් තත්වයන් තුළ.

නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලිය සහ ද්‍රව්‍ය සංයුතිය

SiC සෙරමික් තැටි නිෂ්පාදනය සඳහා ඉහළ ඝනත්වය, ඒකාකාර ක්ෂුද්‍ර ව්‍යුහය සහ ස්ථාවර ක්‍රියාකාරිත්වය සහතික කිරීම සඳහා නිරවද්‍ය ඉංජිනේරු විද්‍යාව සහ උසස් සින්ටර් කිරීමේ තාක්ෂණයන් ඇතුළත් වේ. සාමාන්‍ය පියවරවලට ඇතුළත් වන්නේ:

අමුද්‍රව්‍ය තෝරා ගැනීම
ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් සිලිකන් කාබයිඩ් කුඩු (≥99%) තෝරා ගනු ලැබේ, බොහෝ විට නිශ්චිත අංශු ප්‍රමාණය පාලනය කිරීම සහ ඉහළ යාන්ත්‍රික සහ තාප ගුණාංග සහතික කිරීම සඳහා අවම අපද්‍රව්‍ය සමඟ.
සැකසීමේ ක්‍රම
තැටි පිරිවිතර මත පදනම්ව, විවිධ සැකසුම් ශිල්පීය ක්‍රම භාවිතා කරනු ලැබේ:
- ඉහළ ඝනත්ව, ඒකාකාර සංයුක්ත සඳහා සීතල සමස්ථානික පීඩනය (CIP)
- සංකීර්ණ හැඩතල සඳහා නිස්සාරණය හෝ ස්ලිප් වාත්තු කිරීම
- නිරවද්‍ය, සවිස්තරාත්මක ජ්‍යාමිතීන් සඳහා එන්නත් අච්චු ගැසීම
සින්ටර් කිරීමේ ශිල්පීය ක්‍රම
හරිත ශරීරය අතිශය ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී, සාමාන්‍යයෙන් 2000°C පරාසයක, නිෂ්ක්‍රීය හෝ රික්තක වායුගෝල යටතේ සින්ටර් කරනු ලැබේ. පොදු සින්ටර් කිරීමේ ක්‍රමවලට ඇතුළත් වන්නේ:
- ප්‍රතික්‍රියා බන්ධිත SiC (RB-SiC)
- පීඩන රහිත සින්ටර් කළ SiC (SSiC)
- නැවත ස්ඵටිකීකරණය කරන ලද SiC (RBSiC)
  සෑම ක්‍රමයක්ම සිදුරු බව, ශක්තිය සහ තාප සන්නායකතාවය වැනි තරමක් වෙනස් ද්‍රව්‍ය ගුණාංග ඇති කරයි.
නිරවද්‍ය යන්ත්‍රෝපකරණ
සින්ටර් කිරීමෙන් පසු, තද මාන ඉවසීම්, සුමට මතුපිට නිමාවක් සහ සමතලා බව ලබා ගැනීම සඳහා තැටි යන්ත්‍රගත කරනු ලැබේ. පාරිභෝගික අවශ්‍යතා මත පදනම්ව ලැප් කිරීම, ඇඹරීම සහ ඔප දැමීම වැනි මතුපිට ප්‍රතිකාර යෙදිය හැකිය.

සාමාන්‍ය යෙදුම්

සිලිකන් කාබයිඩ් සෙරමික් තැටි ඒවායේ බහුකාර්යතාව සහ ඔරොත්තු දීමේ හැකියාව නිසා විවිධ කර්මාන්තවල භාවිතා වේ. පොදු යෙදුම් අතර:

අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තය
SiC තැටි වේෆර් ඇනීලිං, විසරණය, ඔක්සිකරණය, එපිටැක්සි සහ බද්ධ කිරීමේ ක්‍රියාවලීන්හිදී වාහක ලෙස භාවිතා කරයි. ඒවායේ ස්ථායිතාව ඒකාකාර උෂ්ණත්ව ව්‍යාප්තිය සහ අවම දූෂණය සහතික කරයි.
ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා (PV) කර්මාන්තය
සූර්ය කෝෂ නිෂ්පාදනයේදී, SiC තැටි ඉහළ උෂ්ණත්ව විසරණය සහ සින්ටර් කිරීමේ පියවර වලදී සිලිකන් ඉන්ගෝට් හෝ වේෆර් සඳහා සහාය වේ.
කුඩු ලෝහ විද්‍යාව සහ පිඟන් මැටි
ලෝහ කුඩු, පිඟන් මැටි සහ සංයුක්ත ද්‍රව්‍ය සින්ටර් කිරීමේදී ආධාරක සංරචක සඳහා භාවිතා වේ.
වීදුරු සහ සංදර්ශක පැනල්
විශේෂ වීදුරු, LCD උපස්ථර හෝ වෙනත් දෘශ්‍ය සංරචක නිෂ්පාදනය සඳහා උඳුන් තැටි හෝ වේදිකා ලෙස යොදනු ලැබේ.
රසායනික සැකසුම් සහ තාප ඌෂ්මක
රසායනික ප්‍රතික්‍රියාකාරකවල විඛාදනයට ඔරොත්තු දෙන වාහක ලෙස හෝ රික්තක සහ පාලිත වායුගෝලීය ඌෂ්මකවල තාප ආධාරක තැටි ලෙස සේවය කරයි.

ප්‍රධාන කාර්ය සාධන විශේෂාංග

✅ ශ්‍රේණියසුවිශේෂී තාප ස්ථායිතාව
1600-2000°C දක්වා උෂ්ණත්වවලදී විකෘති වීමකින් හෝ දිරාපත්වීමකින් තොරව අඛණ්ඩ භාවිතයට ඔරොත්තු දෙයි.
✅ ශ්‍රේණියඉහළ යාන්ත්‍රික ශක්තිය
ඉහළ නම්‍යශීලී ශක්තියක් (සාමාන්‍යයෙන් >350 MPa) ලබා දෙන අතර, අධික බරක් යටතේ වුවද දිගුකාලීන කල්පැවැත්ම සහතික කරයි.
✅ ශ්‍රේණියතාප කම්පන ප්‍රතිරෝධය
වේගවත් උෂ්ණත්ව උච්චාවචනයන් සහිත පරිසරවල විශිෂ්ට කාර්ය සාධනය, ඉරිතැලීම් අවදානම අවම කිරීම.
✅ ශ්‍රේණියවිඛාදනයට හා ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධයට
බොහෝ අම්ල, ක්ෂාර සහ ඔක්සිකාරක/අඩු කිරීමේ වායු වල රසායනිකව ස්ථායී, දැඩි රසායනික ක්‍රියාවලීන් සඳහා සුදුසු වේ.
✅ ශ්‍රේණියමාන නිරවද්‍යතාවය සහ පැතලි බව
ඉහළ නිරවද්‍යතාවයකින් යන්ත්‍රගත කර ඇති අතර, ඒකාකාර සැකසුම් සහ ස්වයංක්‍රීය පද්ධති සමඟ ගැළපුම සහතික කරයි.
✅ ශ්‍රේණියදිගු ආයු කාලය සහ පිරිවැය-කාර්යක්ෂමතාව
අඩු ආදේශන අනුපාත සහ අඩු නඩත්තු වියදම් නිසා කාලයත් සමඟ එය ලාභදායී විසඳුමක් බවට පත්වේ.

තාක්ෂණික පිරිවිතර

පරාමිතිය	සාමාන්‍ය අගය
ද්රව්ය	ප්‍රතික්‍රියා බන්ධිත SiC / සින්ටර් කළ SiC
උපරිම මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය	1600–2000°C
නම්‍යශීලී ශක්තිය	≥350 MPa
ඝනත්වය	≥3.0 g/cm³
තාප සන්නායකතාවය	~120–180 W/m·K
මතුපිට සමතලා බව	≤ 0.1 මි.මී.
ඝනකම	5–20 මි.මී. (අභිරුචිකරණය කළ හැකි)
මානයන්	සම්මත: 200×200 mm, 300×300 mm, ආදිය.
මතුපිට නිමාව	යන්ත්‍රගත කර, ඔප දැමූ (ඉල්ලීම මත)

නිතර අසන ප්‍රශ්න (නිතර අසන ප්‍රශ්න)

ප්‍රශ්නය 1: රික්ත ඌෂ්මකවල සිලිකන් කාබයිඩ් තැටි භාවිතා කළ හැකිද?
A:ඔව්, SiC තැටි ඒවායේ අඩු වායු විමෝචනය, රසායනික ස්ථායිතාව සහ ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය නිසා රික්තක පරිසරයන් සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.

Q2: අභිරුචි හැඩතල හෝ තව් තිබේද?
A:නියත වශයෙන්ම. අද්විතීය පාරිභෝගික අවශ්‍යතා සපුරාලීම සඳහා අපි තැටි ප්‍රමාණය, හැඩය, මතුපිට ලක්ෂණ (උදා: කට්ට, සිදුරු) සහ මතුපිට ඔප දැමීම ඇතුළු අභිරුචිකරණ සේවා සපයන්නෙමු.

Q3: ඇලුමිනා හෝ ක්වාර්ට්ස් තැටි සමඟ SiC සංසන්දනය කරන්නේ කෙසේද?
A:SiC වලට ඉහළ ශක්තියක්, වඩා හොඳ තාප සන්නායකතාවක් සහ තාප කම්පනයට සහ රසායනික විඛාදනයට ඉහළ ප්‍රතිරෝධයක් ඇත. ඇලුමිනා වඩා ලාභදායී වන අතර, SiC ඉල්ලුමක් ඇති පරිසරවල වඩා හොඳින් ක්‍රියා කරයි.

ප්‍රශ්නය 4: මෙම තැටි සඳහා සම්මත ඝනකමක් තිබේද?
A:ඝණකම සාමාන්‍යයෙන් 5–20 mm පරාසයක පවතී, නමුත් ඔබගේ යෙදුම සහ බර දරාගැනීමේ අවශ්‍යතා මත පදනම්ව අපට එය සකස් කළ හැක.

Q5: අභිරුචිකරණය කළ SiC තැටි සඳහා සාමාන්‍ය ඉදිරි කාලය කුමක්ද?
A:ඉදිරි කාලයන් සංකීර්ණත්වය සහ ප්‍රමාණය අනුව වෙනස් වන නමුත් සාමාන්‍යයෙන් අභිරුචිකරණය කළ ඇණවුම් සඳහා සති 2 සිට 4 දක්වා පරාසයක පවතී.

අපි ගැන

XKH විශේෂ දෘශ්‍ය වීදුරු සහ නව ස්ඵටික ද්‍රව්‍යවල අධි තාක්‍ෂණික සංවර්ධනය, නිෂ්පාදනය සහ අලෙවිය සඳහා විශේෂඥතාවයක් දක්වයි. අපගේ නිෂ්පාදන දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ, පාරිභෝගික ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ සහ හමුදාව සඳහා සේවය කරයි. අපි Sapphire දෘශ්‍ය සංරචක, ජංගම දුරකථන කාච ආවරණ, සෙරමික්, LT, සිලිකන් කාබයිඩ් SIC, ක්වාර්ට්ස් සහ අර්ධ සන්නායක ස්ඵටික වේෆර් පිරිනමන්නෙමු. දක්ෂ විශේෂඥතාව සහ අති නවීන උපකරණ සමඟින්, ප්‍රමුඛ පෙළේ දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික ද්‍රව්‍ය අධි තාක්‍ෂණික ව්‍යවසායයක් වීම අරමුණු කරගනිමින්, අපි සම්මත නොවන නිෂ්පාදන සැකසීමේ විශිෂ්ටත්වය අත්කර ගනිමු.