උපස්ථරය
-
quartz sapphire BF33 වේෆර් මත TVG ක්‍රියාවලිය Glass Wafer punching
-
Single Crystal Silicon Wafer Si උපස්ථර වර්ගය N/P විකල්ප සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර්
-
N-වර්ගය SiC සංයුක්ත උපස්ථර Dia6inch උසස් තත්ත්වයේ මොනොක්‍රිස්ටලීන් සහ අඩු ගුණාත්මක උපස්ථරය
-
Si සංයුක්ත උපස්ථර මත අර්ධ පරිවාරක SiC
-
අර්ධ පරිවාරක SiC සංයුක්ත උපස්ථර Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
සින්තටික් Sapphire boule Monocrystal Sapphire හිස් විෂ්කම්භය සහ ඝණකම අභිරුචිකරණය කළ හැක
-
Si සංයුක්ත උපස්ථර Dia6inch මත N-වර්ගය SiC
-
SiC උපස්ථරය Dia200mm 4H-N සහ HPSI සිලිකන් කාබයිඩ්
-
අඟල් 3 SiC උපස්ථරය නිෂ්පාදනය Dia76.2mm 4H-N
-
SiC උපස්ථරය P සහ D ශ්‍රේණියේ Dia50mm 4H-N 2inch
-
TGV වීදුරු උපස්ථර අඟල් 12 වේෆර් වීදුරු සිදුරු කිරීම
-
SiC Ingot 4H-N වර්ගයේ ව්යාජ ශ්රේණිය අඟල් 2 අඟල් 3 අඟල් 4 අඟල් 6 ඝණකම:＞10mm