උපස්ථරය
-
සිලිකන් කාබයිඩ් 4H-SiC අර්ධ පරිවාරක ඉන්ගෝට්, ඩමී ශ්‍රේණියේ 6
-
SiC Ingot 4H වර්ගය විෂ්කම්භය අඟල් 4 අඟල් 6 ඝණකම 5-10mm පර්යේෂණ / ව්‍යාජ ශ්‍රේණිය
-
අඟල් 6 නිල් මැණික් Boule නිල් මැණික් හිස් තනි ස්ඵටික Al2O3 99.999%
-
Sic උපස්ථරය සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් 4H-N වර්ගයේ ඉහළ දෘඪතාව විඛාදන ප්‍රතිරෝධය ප්‍රයිම් ශ්‍රේණියේ ඔප දැමීම
-
අඟල් 2 සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් 6H-N වර්ගයේ ප්‍රයිම් ශ්‍රේණියේ පර්යේෂණ ශ්‍රේණිය ව්‍යාජ ශ්‍රේණිය 330μm 430μm ඝනකම
-
අඟල් 2 සිලිකන් කාබයිඩ් උපස්ථරය 6H-N ද්විත්ව ඒක පාර්ශවීය ඔප දැමූ විෂ්කම්භය 50.8mm නිෂ්පාදන ශ්‍රේණියේ පර්යේෂණ ශ්‍රේණිය
-
p-වර්ගය 4H/6H-P 3C-N වර්ගය SIC උපස්ථරය 4 අඟල් 〈111〉± 0.5° ශුන්‍ය MPD
-
SiC උපස්ථරය P-වර්ගය 4H/6H-P 3C-N 350um ඝණකම සහිත අඟල් 4 නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය ව්‍යාජ ශ්‍රේණිය
-
4H/6H-P අඟල් 6 SiC වේෆර් ශුන්‍ය MPD ශ්‍රේණිය නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය ව්‍යාජ ශ්‍රේණිය
-
P-වර්ගයේ SiC වේෆර් 4H/6H-P 3C-N අඟල් 6ක ඝනකම 350 μm ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය සමඟ
-
ක්වාර්ට්ස් නිල් මැණික් BF33 වේෆර් මත TVG ක්‍රියාවලිය වීදුරු වේෆර් සිදුරු කිරීම
-
තනි ස්ඵටික සිලිකන් වේෆර් Si උපස්ථර වර්ගය N/P විකල්ප සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර්