sapphire Epi-layer wafer substrate මත 200mm අඟල් 8 GaN
නිෂ්පාදන හැඳින්වීම
අඟල් 8 GaN-on-Sapphire උපස්ථරය යනු Sapphire උපස්ථරයක් මත වැඩුණු Gallium Nitride (GaN) ස්ථරයකින් සමන්විත උසස් තත්ත්වයේ අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයකි.මෙම ද්‍රව්‍යය විශිෂ්ට ඉලෙක්ට්රොනික ප්‍රවාහන ගුණ ලබා දෙන අතර අධි බල සහ අධි-සංඛ්‍යාත අර්ධ සන්නායක උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.
නිෂ්පාදන ක්රමය
නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියට ලෝහ-කාබනික රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (MOCVD) හෝ අණුක කදම්භ එපිටැක්සි (MBE) වැනි උසස් තාක්ෂණික ක්‍රම භාවිතා කරමින් Sapphire උපස්ථරයක් මත GaN ස්ථරයක epitaxial වර්ධනය ඇතුළත් වේ.ඉහළ ස්ඵටික ගුණාත්මක භාවය සහ චිත්රපට ඒකාකාරිත්වය සහතික කිරීම සඳහා පාලිත තත්ත්වයන් යටතේ තැන්පත් කිරීම සිදු කරනු ලැබේ.
අයදුම්පත්
අඟල් 8 GaN-on-Sapphire උපස්ථරය මයික්‍රෝවේව් සන්නිවේදන, රේඩාර් පද්ධති, රැහැන් රහිත තාක්ෂණය සහ දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික් ඇතුළු විවිධ ක්ෂේත්‍රවල පුළුල් යෙදුම් සොයා ගනී.පොදු යෙදුම් සමහරක් ඇතුළත් වේ:
1. RF බල ඇම්ප්ලිෆයර්
2. LED ආලෝකකරණ කර්මාන්තය
3. රැහැන් රහිත ජාල සන්නිවේදන උපාංග
4. අධික උෂ්ණත්ව පරිසරයන් සඳහා ඉලෙක්ට්රොනික උපාංග
5. Optoelectronic උපාංග
නිෂ්පාදන පිරිවිතර
-මානය: උපස්ථර ප්‍රමාණය විෂ්කම්භය අඟල් 8 (මි.මී. 200) වේ.
- මතුපිට ගුණාත්මකභාවය: මතුපිට සුමටතාවයෙන් ඉහළ මට්ටමකට ඔප දමා ඇති අතර විශිෂ්ට දර්පණ වැනි ගුණාත්මක බවක් පෙන්නුම් කරයි.
- ඝනකම: GaN ස්ථරය ඝනකම නිශ්චිත අවශ්‍යතා මත පදනම්ව අභිරුචිකරණය කළ හැක.
- ඇසුරුම්කරණය: ප්‍රවාහනයේදී සිදුවන හානිය වැළැක්වීම සඳහා උපස්ථරය ප්‍රති-ස්ථිතික ද්‍රව්‍යවල ප්‍රවේශමෙන් ඇසුරුම් කර ඇත.
- දිශානතිය පැතලි: උපස්ථරයට විශේෂිත දිශානතියක් ඇත, එය වේෆර් පෙළගැස්ම සහ උපාංග සැකසීමේ ක්‍රියාවලීන්හිදී හැසිරවීමට උපකාරී වේ.
- අනෙකුත් පරාමිතීන්: ඝනකම, ප්‍රතිරෝධය සහ මාත්‍රණ සාන්ද්‍රණයේ විශේෂතා පාරිභෝගික අවශ්‍යතා අනුව සකස් කළ හැක.
එහි උසස් ද්‍රව්‍යමය ගුණාංග සහ බහුකාර්ය යෙදුම් සමඟින්, අඟල් 8 GaN-on-Sapphire උපස්ථරය විවිධ කර්මාන්තවල ඉහළ ක්‍රියාකාරී අර්ධ සන්නායක උපාංග සංවර්ධනය සඳහා විශ්වාසදායක තේරීමකි.
GaN-On-Sapphire හැර, අපට බල උපාංග යෙදුම් ක්ෂේත්‍රය තුළද පිරිනැමිය හැකිය, නිෂ්පාදන පවුලට අඟල් 8 AlGaN/GaN-on-Si epitaxial වේෆර් සහ අඟල් 8 P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaxial ඇතුළත් වේ. වේෆර්.ඒ අතරම, අපි මයික්‍රෝවේව් ක්ෂේත්‍රයේ තමන්ගේම උසස් අඟල් 8 GaN epitaxy තාක්‍ෂණයේ යෙදීම නවීකරණය කළ අතර, විශාල ප්‍රමාණයේ, අඩු වියදම් සහිත ඉහළ කාර්ය සාධනයක් ඒකාබද්ධ කරන අඟල් 8 AlGaN/ GAN-on-HR Si epitaxy වේෆරයක් නිපදවා ඇත. සහ සම්මත අඟල් 8 උපාංග සැකසුම් සමඟ අනුකූල වේ.සිලිකන් මත පදනම් වූ ගැලියම් නයිට්‍රයිඩ් වලට අමතරව, සිලිකන් මත පදනම් වූ ගැලියම් නයිට්‍රයිඩ් එපිටක්සියල් ද්‍රව්‍ය සඳහා පාරිභෝගිකයන්ගේ අවශ්‍යතා සපුරාලීම සඳහා AlGaN/GaN-on-SiC epitaxial වේෆර් නිෂ්පාදන පෙළක් ද අප සතුව ඇත.
විස්තරාත්මක රූප සටහන
