අඟල් 4 SiC Wafers 6H අර්ධ පරිවාරක SiC උපස්ථර ප්‍රමුඛ, පර්යේෂණ සහ ව්යාජ ශ්රේණිය
නිෂ්පාදන පිරිවිතර
| ශ්රේණියේ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්රේණිය (Z ශ්රේණිය) | සම්මත නිෂ්පාදන ශ්රේණිය(P ශ්රේණිය) | ව්යාජ ශ්රේණිය (D ශ්රේණිය) | ||||||||
| විෂ්කම්භය | 99.5 mm ~ 100.0 මි.මී | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| වේෆර් දිශානතිය |
අක්ෂය: 4.0° දෙසට< 1120 > ±0.5° 4H-N සඳහා, අක්ෂය මත : <0001>±0.5° 4H-SI සඳහා | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 සෙ.මී-2 | ≤5 සෙ.මී-2 | ≤15 සෙ.මී-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | 32.5 mm±2.0 mm | ||||||||||
| ද්විතියික පැතලි දිග | 18.0 mm±2.0 mm | ||||||||||
| ද්විතියික පැතලි දිශානතිය | සිලිකන් මුහුණත: 90° CW.ප්‍රයිම් පැතලි ±5.0° සිට | ||||||||||
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී | ||||||||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| රළුබව | C මුහුණ | පෝලන්ත | Ra≤1 nm | ||||||||
| Si මුහුණ | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| අධි තීව්‍ර ආලෝකයෙන් දාර ඉරිතැලීම් | කිසිවක් නැත | සමුච්චිත දිග ≤ 10 mm, තනි දිග≤2 මි.මී | |||||||||
| අධි තීව්රතා ආලෝකය මගින් හෙක්ස් තහඩු | සමුච්චිත ප්රදේශය ≤0.05% | සමුච්චිත ප්රදේශය ≤0.1% | |||||||||
| අධි තීව්රතා ආලෝකය මගින් පොලිටයිප් ප්‍රදේශ | කිසිවක් නැත | සමුච්චිත ප්රදේශය≤3% | |||||||||
| දෘෂ්ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | සමුච්චිත ප්රදේශය ≤0.05% | සමුච්චිත ප්රදේශය ≤3% | |||||||||
| ඉහළ තීව්රතා ආලෝකය මගින් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | කිසිවක් නැත | සමුච්චිත දිග≤1＊වේෆර් විෂ්කම්භය | |||||||||
| තීව්රතා ආලෝකයෙන් ඉහළ එජ් චිප්ස් | කිසිවකට අවසර නැත ≥0.2 mm පළල සහ ගැඹුර | 5 අවසර, ≤1 මි.මී | |||||||||
| ඉහළ තීව්රතාවයකින් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | කිසිවක් නැත | ||||||||||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් කන්ටේනරය | ||||||||||
විස්තරාත්මක රූප සටහන
ඔබගේ පණිවිඩය මෙහි ලියා අප වෙත එවන්න
