4H-N අඟල් 8 SiC උපස්ථර වේෆර් සිලිකන් කාබයිඩ් ව්යාජ පර්යේෂණ ශ්රේණියේ 500um ඝණකම

සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) වේෆර් සහ උපස්ථර තෝරාගැනීමේදී සලකා බැලිය යුතු සාධක කිහිපයක් තිබේ.මෙන්න වැදගත් නිර්ණායක කිහිපයක්:

ද්‍රව්‍ය වර්ගය: 4H-SiC හෝ 6H-SiC වැනි ඔබේ යෙදුමට ගැළපෙන SiC ද්‍රව්‍ය වර්ගය තීරණය කරන්න.වඩාත් බහුලව භාවිතා වන ස්ඵටික ව්යුහය 4H-SiC වේ.

මාත්‍රණ වර්ගය: ඔබට මාත්‍රණය කළ හෝ ඉවත් නොකළ SiC උපස්ථරයක් අවශ්‍යද යන්න තීරණය කරන්න.ඔබේ විශේෂිත අවශ්‍යතා මත පදනම්ව, සාමාන්‍ය මාත්‍රණ වර්ග N-type (n-doped) හෝ P-type (p-doped) වේ.

Crystal Quality: SiC වේෆර්වල හෝ උපස්ථරවල ස්ඵටික ගුණය තක්සේරු කරන්න.අපේක්ෂිත ගුණාත්මක භාවය තීරණය වන්නේ දෝෂ ගණන, ස්ඵටිකරූපී දිශානතිය සහ මතුපිට රළුබව වැනි පරාමිතීන් මගිනි.

වේෆර් විෂ්කම්භය: ඔබගේ යෙදුම මත පදනම්ව සුදුසු වේෆර් ප්රමාණය තෝරන්න.පොදු ප්රමාණවලට අඟල් 2, අඟල් 3, අඟල් 4 සහ අඟල් 6 ඇතුළත් වේ.විෂ්කම්භය විශාල වන තරමට, ඔබට වේෆරයකට වැඩි අස්වැන්නක් ලබා ගත හැකිය.

ඝනකම: SiC වේෆර්වල හෝ උපස්ථරවල අපේක්ෂිත ඝනකම සලකා බලන්න.සාමාන්‍ය ඝනකම විකල්පයන් මයික්‍රොමීටර කිහිපයක සිට මයික්‍රොමීටර සිය ගණනක් දක්වා පරාසයක පවතී.

දිශානතිය: ඔබගේ යෙදුමේ අවශ්‍යතා සමඟ සමපාත වන ස්ඵටික දිශානතිය නිර්ණය කරන්න.පොදු දිශානතියට 4H-SiC සඳහා (0001) සහ 6H-SiC සඳහා (0001) හෝ (0001̅) ඇතුළත් වේ.

මතුපිට නිමාව: SiC වේෆර්වල හෝ උපස්ථරවල මතුපිට නිමාව තක්සේරු කරන්න.මතුපිට සිනිඳු, ඔප දැමූ සහ සීරීම් හෝ දූෂක වලින් තොර විය යුතුය.

සැපයුම්කරු කීර්තිය: උසස් තත්ත්වයේ SiC වේෆර් සහ උපස්ථර නිෂ්පාදනය කිරීමේ පුළුල් පළපුරුද්දක් ඇති පිළිගත් සැපයුම්කරුවෙකු තෝරන්න.නිෂ්පාදන හැකියාවන්, තත්ත්ව පාලනය සහ පාරිභෝගික සමාලෝචන වැනි සාධක සලකා බලන්න.

පිරිවැය: වේෆර් හෝ උපස්ථරයක මිල සහ ඕනෑම අමතර අභිරුචිකරණ වියදම් ඇතුළුව, පිරිවැය ඇඟවුම් සලකා බලන්න.

මෙම සාධක ප්‍රවේශමෙන් තක්සේරු කිරීම සහ තෝරාගත් SiC වේෆර් සහ උපස්ථර ඔබේ නිශ්චිත යෙදුම් අවශ්‍යතා සපුරාලන බව සහතික කිරීම සඳහා කර්මාන්තයේ ප්‍රවීණයන් හෝ සැපයුම්කරුවන් සමඟ සාකච්ඡා කිරීම වැදගත් වේ.