අඟල් 4 අර්ධ අපහාස SiC වේෆර් HPSI SiC උපස්ථරය ප්‍රයිම් නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය

කෙටි විස්තරය:

රේඩියෝ සංඛ්‍යාත පරාසය, අතිශය දිගු දුර හඳුනාගැනීම, ප්‍රති-මැදිහත්වීම්, අධි වේගය වැඩි දියුණු කිරීමේ වාසි සමඟින්, අඟල් 4 ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් අර්ධ පරිවරණය කළ සිලිකන් කාබයිඩ් ද්විත්ව ඒක පාර්ශවීය ඔප දැමීමේ තහඩුව ප්‍රධාන වශයෙන් 5G සන්නිවේදනය සහ අනෙකුත් ක්ෂේත්‍රවල භාවිතා වේ. , විශාල ධාරිතාවකින් යුත් තොරතුරු සම්ප්‍රේෂණය සහ වෙනත් යෙදුම්, සහ මයික්‍රෝවේව් බල උපාංග සෑදීම සඳහා කදිම උපස්ථරයක් ලෙස සැලකේ.


නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

නිෂ්පාදන පිරිවිතර

සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) යනු කාබන් සහ සිලිකන් මූලද්‍රව්‍ය වලින් සමන්විත සංයෝග අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයක් වන අතර එය අධි-උෂ්ණත්ව, අධි-සංඛ්‍යාත, අධි බල සහ අධි-වෝල්ටීයතා උපාංග සෑදීම සඳහා කදිම ද්‍රව්‍යයකි. සාම්ප්‍රදායික සිලිකන් ද්‍රව්‍ය (Si) හා සසඳන විට සිලිකන් කාබයිඩ් වල තහනම් කලාප පළල සිලිකන් මෙන් තුන් ගුණයකි; තාප සන්නායකතාවය සිලිකන් මෙන් 4-5 ගුණයක් වේ; බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතාවය සිලිකන් මෙන් 8-10 ගුණයක් වේ; සහ ඉලෙක්ට්‍රෝන සන්තෘප්ත ප්ලාවිත අනුපාතය සිලිකන් මෙන් 2-3 ගුණයක් වන අතර, එය අධි බල, අධි-වෝල්ටීයතා සහ අධි-සංඛ්‍යාත සඳහා නවීන කර්මාන්තයේ අවශ්‍යතා සපුරාලන අතර එය ප්‍රධාන වශයෙන් භාවිතා කරනුයේ අධිවේගී, අධි- සංඛ්‍යාතය, අධි බල සහ ආලෝක විමෝචක ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග සහ එහි පහළ යෙදුම් ක්ෂේත්‍ර අතර ස්මාර්ට් ජාලකය, නව බලශක්ති වාහන, ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා සුළං බලය, 5G සන්නිවේදන යනාදිය ඇතුළත් වේ. බල උපාංග ක්ෂේත්‍රයේ සිලිකන් කාබයිඩ් ඩයෝඩ සහ MOSFET ආරම්භ වී ඇත. වාණිජමය වශයෙන් යෙදී ඇත.

 

SiC වේෆර්/SiC උපස්ථරයේ වාසි

ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධය. සිලිකන් කාබයිඩ් වල තහනම් කලාප පළල සිලිකන් මෙන් 2-3 ගුණයක් වේ, එබැවින් ඉලෙක්ට්‍රෝන ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී පැනීමට ඇති ඉඩකඩ අඩු වන අතර ඉහළ ක්‍රියාකාරී උෂ්ණත්වයන්ට ඔරොත්තු දිය හැකි අතර සිලිකන් කාබයිඩ් වල තාප සන්නායකතාවය සිලිකන් මෙන් 4-5 ගුණයක් වේ. උපාංගයෙන් තාපය විසුරුවා හැරීම පහසු වන අතර ඉහළ සීමාකාරී මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වයකට ඉඩ සලසයි. අධි-උෂ්ණත්ව ලක්ෂණයන් බලශක්ති ඝනත්වය සැලකිය යුතු ලෙස වැඩි කළ හැකි අතර, තාපය විසුරුවා හැරීමේ පද්ධතිය සඳහා අවශ්යතාවයන් අඩු කරයි, පර්යන්තය වඩාත් සැහැල්ලු හා කුඩා කිරීම.

අධි වෝල්ටීයතා ප්රතිරෝධය. සිලිකන් කාබයිඩ් බිඳවැටීමේ ක්ෂේත්‍ර ශක්තිය සිලිකන් මෙන් 10 ගුණයක් වන අතර, එය අධි වෝල්ටීයතා උපාංග සඳහා වඩාත් යෝග්‍ය වන පරිදි ඉහළ වෝල්ටීයතාවයකට ඔරොත්තු දීමට හැකි වේ.

අධි-සංඛ්‍යාත ප්‍රතිරෝධය. සිලිකන් කාබයිඩ් සිලිකන් සන්තෘප්තිය ඉලෙක්ට්‍රෝන ප්ලාවිත අනුපාතය දෙගුණයක් ඇති අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස වසා දැමීමේ ක්‍රියාවලියේදී එහි උපාංග වත්මන් ඇදගෙන යාමේ සංසිද්ධිය තුළ නොපවතී, උපාංග miniaturisation සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා උපාංග මාරු කිරීමේ සංඛ්‍යාතය ඵලදායී ලෙස වැඩිදියුණු කළ හැකිය.

අඩු බලශක්ති පාඩු. සිලිකන් ද්රව්යවලට සාපේක්ෂව සිලිකන් කාබයිඩ් ඉතා අඩු ප්රතිරෝධයක් ඇත, අඩු සන්නායක පාඩුව; ඒ අතරම, සිලිකන් කාබයිඩ්වල ඉහළ කලාප පළල කාන්දු වන ධාරාව, ​​බලශක්ති අලාභය සැලකිය යුතු ලෙස අඩු කරයි; මීට අමතරව, වසා දැමීමේ ක්‍රියාවලියේ සිලිකන් කාබයිඩ් උපාංග වත්මන් ඇදගෙන යාමේ සංසිද්ධිය, අඩු මාරුවීම් අලාභය තුළ නොපවතී.

විස්තරාත්මක රූප සටහන

ප්‍රමුඛ නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (1)
ප්‍රමුඛ නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (2)

  • පෙර:
  • ඊළඟ:

  • ඔබගේ පණිවිඩය මෙහි ලියා අප වෙත එවන්න