දැනට, අපගේ සමාගමට 8inchN වර්ගයේ SiC වේෆර් කුඩා කාණ්ඩයක් සැපයීම දිගටම කරගෙන යා හැක, ඔබට නියැදි අවශ්‍යතා තිබේ නම්, කරුණාකර මාව සම්බන්ධ කර ගැනීමට නිදහස් වන්න.නැව්ගත කිරීමට අප සතුව නියැදි වේෆර් කිහිපයක් තිබේ.
අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය ක්ෂේත්‍රයේ, සමාගම විශාල ප්‍රමාණයේ SiC ස්ඵටික පර්යේෂණ හා සංවර්ධනයේ ප්‍රධාන පෙරළියක් කර ඇත.විෂ්කම්භය වට කිහිපයකින් විශාල කිරීමෙන් පසු තමන්ගේම බීජ ස්ඵටික භාවිතා කිරීමෙන්, සමාගම විසින් අඟල් 8 N-වර්ගයේ SiC ස්ඵටික සාර්ථකව වර්ධනය කර ඇති අතර, වර්ධන ක්‍රියාවලියේදී අසමාන උෂ්ණත්ව ක්ෂේත්‍රය, ස්ඵටික ඉරිතැලීම් සහ ගෑස් අදියර අමුද්‍රව්‍ය බෙදා හැරීම වැනි දුෂ්කර ගැටලු විසඳයි. අඟල් 8 SIC ස්ඵටික, සහ විශාල ප්‍රමාණයේ SIC ස්ඵටිකවල වර්ධනය සහ ස්වයංක්‍රීය සහ පාලනය කළ හැකි සැකසුම් තාක්ෂණය වේගවත් කරයි.SiC තනි ස්ඵටික උපස්ථර කර්මාන්තය තුළ සමාගමේ මූලික තරඟකාරිත්වය බෙහෙවින් වැඩි දියුණු කරයි.ඒ අතරම, සමාගම විශාල ප්‍රමාණයේ සිලිකන් කාබයිඩ් උපස්ථර සකස් කිරීමේ පර්යේෂණාත්මක රේඛාවේ තාක්ෂණය සමුච්චය කිරීම සහ ක්‍රියාවලිය ක්‍රියාශීලීව ප්රවර්ධනය කරයි, ඉහළ සහ පහළ ක්ෂේත්‍රවල තාක්ෂණික හුවමාරුව සහ කාර්මික සහයෝගීතාව ශක්තිමත් කරයි, සහ නිෂ්පාදන ක්‍රියාකාරිත්වය නිරන්තරයෙන් පුනරාවර්තනය කිරීම සඳහා ගනුදෙනුකරුවන් සමඟ සහයෝගයෙන් කටයුතු කරයි. සිලිකන් කාබයිඩ් ද්රව්යවල කාර්මික යෙදුමේ වේගය ප්රවර්ධනය කරයි.
| අඟල් 8 N-type SiC DSP පිරිවිතර | |||||
| අංකය | අයිතමය | ඒකකය | නිෂ්පාදනය | පර්යේෂණ | ඩමි |
| 1. පරාමිතීන් | |||||
| 1.1 | පොලිටයිප් | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | මතුපිට දිශානතිය | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. විදුලි පරාමිතිය | |||||
| 2.1 | dopant | -- | n-වර්ගය නයිට්රජන් | n-වර්ගය නයිට්රජන් | n-වර්ගය නයිට්රජන් |
| 2.2 | ප්රතිරෝධය | ඕම් · සෙ.මී | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. යාන්ත්රික පරාමිතිය | |||||
| 3.1 | විෂ්කම්භය | mm | 200± 0.2 | 200± 0.2 | 200± 0.2 |
| 3.2 | ඝණකම | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | නොච් දිශානතිය | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | නොච් ගැඹුර | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | දුන්න | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. ව්යුහය | |||||
| 4.1 | ක්ෂුද්ර නල ඝනත්වය | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ලෝහ අන්තර්ගතය | පරමාණු/සෙ.මී.2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. ධනාත්මක ගුණාත්මකභාවය | |||||
| 5.1 | ඉදිරිපස | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | මතුපිට නිමාව | -- | Si-Face CMP | Si-Face CMP | Si-Face CMP |
| 5.3 | අංශුව | ea/wafer | ≤100(ප්‍රමාණය≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | සීරීම | ea/wafer | ≤5,මුළු දිග≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | දාරය චිප්ස් / ඉන්ඩෙන්ට්ස් / ඉරිතැලීම් / පැල්ලම් / දූෂණය | -- | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත | NA |
| 5.6 | පොලිටයිප් ප්රදේශ | -- | කිසිවක් නැත | ප්රදේශය ≤10% | ප්රදේශය ≤30% |
| 5.7 | ඉදිරිපස සලකුණු කිරීම | -- | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත |
| 6. පසුපස ගුණාත්මකභාවය | |||||
| 6.1 | පසුපස නිමාව | -- | සී-ෆේස් එම්.පී | සී-ෆේස් එම්.පී | සී-ෆේස් එම්.පී |
| 6.2 | සීරීම | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | පිටුපස දෝෂ දාරය චිප්ස්/ඉන්ඩන්ට් | -- | කිසිවක් නැත | කිසිවක් නැත | NA |
| 6.4 | පිටුපස රළුබව | nm | රා≤5 | රා≤5 | රා≤5 |
| 6.5 | පසුපස සලකුණු කිරීම | -- | නොච් | නොච් | නොච් |
| 7. එජ් | |||||
| 7.1 | දාරය | -- | චැම්ෆර් | චැම්ෆර් | චැම්ෆර් |
| 8. පැකේජය | |||||
| 8.1 | ඇසුරුම් කිරීම | -- | රික්තය සමඟ Epi-සූදානම් ඇසුරුම් කිරීම | රික්තය සමඟ Epi-සූදානම් ඇසුරුම් කිරීම | රික්තය සමඟ Epi-සූදානම් ඇසුරුම් කිරීම |
| 8.2 | ඇසුරුම් කිරීම | -- | බහු වේෆර් කැසට් ඇසුරුම් | බහු වේෆර් කැසට් ඇසුරුම් | බහු වේෆර් කැසට් ඇසුරුම් |
පසු කාලය: අප්රේල්-18-2023