4H-N HPSI SiC වේෆර් 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS හෝ SBD සඳහා එපිටැක්සියල් වේෆර්
SiC උපස්ථර SiC Epi-wafer කෙටි විස්තරය
4″, 6″ සහ 8″ සිට 12″ දක්වා විෂ්කම්භයන්ගෙන් යුත් - 4H-N (n-වර්ගයේ සන්නායක), 4H-P (p-වර්ගයේ සන්නායක), 4H-HPSI (ඉහළ-සංශුද්ධතා අර්ධ-පරිවාරක) සහ 6H-P (p-වර්ගයේ සන්නායක) ඇතුළුව බහු පොලිටයිප් සහ මාත්‍රණ පැතිකඩවල උසස් තත්ත්වයේ SiC උපස්ථර සහ sic වේෆර්වල සම්පූර්ණ කළඹක් අපි පිරිනමන්නෙමු. හිස් උපස්ථරවලින් ඔබ්බට, අපගේ අගය එකතු කළ epi වේෆර් වර්ධන සේවාවන් තදින් පාලනය කරන ලද ඝණකම (1–20 µm), මාත්‍රණ සාන්ද්‍රණයන් සහ දෝෂ ඝනත්වයන් සහිත epitaxial (epi) වේෆර් ලබා දෙයි.
සුවිශේෂී ස්ඵටික ඒකාකාරිත්වය සහ කාර්ය සාධනය සහතික කිරීම සඳහා සෑම sic wafer එකක් සහ epi wafer එකක්ම දැඩි මාර්ගගත පරීක්ෂාවකට (ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය <0.1 cm⁻², මතුපිට රළුබව Ra <0.2 nm) සහ සම්පූර්ණ විද්‍යුත් ලක්ෂණකරණයට (CV, ප්‍රතිරෝධකතා සිතියම්ගත කිරීම) භාජනය වේ. බල ඉලෙක්ට්‍රොනික මොඩියුල, අධි-සංඛ්‍යාත RF ඇම්ප්ලිෆයර් හෝ ඔප්ටෝ ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග (LED, ෆොටෝඩෙටෙක්ටර්) සඳහා භාවිතා කළත්, අපගේ SiC උපස්ථරය සහ epi wafer නිෂ්පාදන රේඛා අද වඩාත්ම ඉල්ලුමක් ඇති යෙදුම් සඳහා අවශ්‍ය විශ්වසනීයත්වය, තාප ස්ථායිතාව සහ බිඳවැටීමේ ශක්තිය ලබා දෙයි.
SiC උපස්ථර 4H-N වර්ගයේ ගුණාංග සහ යෙදුම
-
4H-N SiC උපස්ථරය බහුවර්ගය (ෂඩාස්රාකාර) ව්‍යුහය
~3.26 eV පුළුල් කලාප පරතරයක් ඉහළ උෂ්ණත්ව සහ ඉහළ විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍ර තත්ව යටතේ ස්ථාවර විද්‍යුත් ක්‍රියාකාරිත්වය සහ තාප ශක්තිමත් බව සහතික කරයි.
-
SiC උපස්ථරයN-වර්ගයේ තහනම් උත්තේජක භාවිතය
නිශ්චිතවම පාලනය කරන ලද නයිට්‍රජන් මාත්‍රණය මඟින් 1×10¹⁶ සිට 1×10¹⁹ cm⁻³ දක්වා වාහක සාන්ද්‍රණයක් සහ කාමර උෂ්ණත්වයේ දී ~900 cm²/V·s දක්වා ඉලෙක්ට්‍රෝන සංචලනයක් ලබා දෙන අතර, එමඟින් සන්නායකතා පාඩු අවම වේ.
-
SiC උපස්ථරයපුළුල් ප්‍රතිරෝධකතාව සහ ඒකාකාරිත්වය
ලබා ගත හැකි ප්‍රතිරෝධක පරාසය 0.01–10 Ω·cm සහ වේෆර් ඝණකම 350–650 µm වන අතර මාත්‍රණය සහ ඝණකම යන දෙකෙහිම ±5% ඉවසීමක් ඇත - අධි බලැති උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා වඩාත් සුදුසුය.
-
SiC උපස්ථරයඅතිශය අඩු දෝෂ ඝනත්වය
ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය < 0.1 cm⁻² සහ බාසල්-තල විස්ථාපන ඝනත්වය < 500 cm⁻², උපාංග අස්වැන්න 99% ට වඩා වැඩි සහ උසස් ස්ඵටික අඛණ්ඩතාවක් ලබා දෙයි.
- SiC උපස්ථරයසුවිශේෂී තාප සන්නායකතාවය
~370 W/m·K දක්වා තාප සන්නායකතාවය කාර්යක්ෂම තාපය ඉවත් කිරීමට පහසුකම් සපයයි, උපාංගයේ විශ්වසනීයත්වය සහ බල ඝනත්වය වැඩි කරයි.
-
SiC උපස්ථරයඉලක්කගත යෙදුම්
SiC MOSFET, Schottky ඩයෝඩ, බල මොඩියුල සහ විදුලි වාහන ධාවක සඳහා RF උපාංග, සූර්ය ඉන්වර්ටර්, කාර්මික ධාවක, කම්පන පද්ධති සහ අනෙකුත් ඉල්ලුමක් ඇති බලශක්ති-ඉලෙක්ට්‍රොනික වෙළඳපොළවල්.
අඟල් 6 4H-N වර්ගයේ SiC වේෆරයේ පිරිවිතර | ||
| දේපළ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| ශ්‍රේණිය | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| විෂ්කම්භය | 149.5 මි.මී. - 150.0 මි.මී. | 149.5 මි.මී. - 150.0 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| වේෆර් දිශානතිය | අක්ෂයෙන් පිටත: 4.0° <1120> ± 0.5° දෙසට | අක්ෂයෙන් පිටත: 4.0° <1120> ± 0.5° දෙසට |
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ≤ 0.2 සෙ.මී.² | ≤ 15 සෙ.මී.² |
| ප්‍රතිරෝධකතාව | 0.015 - 0.024 Ω·සෙ.මී. | 0.015 - 0.028 Ω·සෙ.මී. |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | 475 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. | 475 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. |
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී. | 3 මි.මී. |
| LTV/TIV / දුන්න / වෝර්ප් | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| රළුබව | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm |
| CMP රා | ≤ 0.2 නැනෝමීටර් | ≤ 0.5 නැනෝමීටර් |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකය නිසා දාර ඉරිතැලීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් හෙක්ස් තහඩු | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.1% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය අනුව බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 3% |
| දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 5% |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 1 වේෆර් විෂ්කම්භය | |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් | පළල සහ ගැඹුර ≥ 0.2 mm ට අවසර නැත. | 7 අවසර ඇත, ≤ 1 මි.මී. බැගින් |
| නූල් ඉස්කුරුප්පු විස්ථාපනය | < 500 සෙ.මී.³ | < 500 සෙ.මී.³ |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | ||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
අඟල් 8 4H-N වර්ගයේ SiC වේෆරයේ පිරිවිතර | ||
| දේපළ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| ශ්‍රේණිය | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| විෂ්කම්භය | 199.5 මි.මී. - 200.0 මි.මී. | 199.5 මි.මී. - 200.0 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| වේෆර් දිශානතිය | <110> ± 0.5° දෙසට 4.0° | <110> ± 0.5° දෙසට 4.0° |
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ≤ 0.2 සෙ.මී.² | ≤ 5 සෙ.මී.² |
| ප්‍රතිරෝධකතාව | 0.015 - 0.025 Ω·සෙ.මී. | 0.015 - 0.028 Ω·සෙ.මී. |
| උතුම් දිශානතිය | ||
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී. | 3 මි.මී. |
| LTV/TIV / දුන්න / වෝර්ප් | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| රළුබව | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm |
| CMP රා | ≤ 0.2 නැනෝමීටර් | ≤ 0.5 නැනෝමීටර් |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකය නිසා දාර ඉරිතැලීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් හෙක්ස් තහඩු | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.1% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය අනුව බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 3% |
| දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 5% |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 1 වේෆර් විෂ්කම්භය | |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් | පළල සහ ගැඹුර ≥ 0.2 mm ට අවසර නැත. | 7 අවසර ඇත, ≤ 1 මි.මී. බැගින් |
| නූල් ඉස්කුරුප්පු විස්ථාපනය | < 500 සෙ.මී.³ | < 500 සෙ.මී.³ |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | ||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
4H-SiC යනු බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ, RF උපාංග සහ ඉහළ උෂ්ණත්ව යෙදුම් සඳහා භාවිතා කරන ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත ද්‍රව්‍යයකි. "4H" යන්නෙන් ෂඩාස්රාකාර ස්ඵටික ව්‍යුහය අදහස් වන අතර "N" යන්නෙන් ද්‍රව්‍යයේ ක්‍රියාකාරිත්වය ප්‍රශස්ත කිරීම සඳහා භාවිතා කරන මාත්‍රණ වර්ගයක් දක්වයි.
එම4H-SiCවර්ගය බහුලව භාවිතා වන්නේ:
බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ:විදුලි වාහන බල දුම්රිය, කාර්මික යන්ත්‍රෝපකරණ සහ පුනර්ජනනීය බලශක්ති පද්ධති සඳහා ඩයෝඩ, MOSFET සහ IGBT වැනි උපාංගවල භාවිතා වේ.
5G තාක්ෂණය:5G හි අධි-සංඛ්‍යාත සහ අධි-කාර්යක්ෂමතා සංරචක සඳහා ඇති ඉල්ලුමත් සමඟ, SiC හි අධි වෝල්ටීයතා හැසිරවීමට සහ ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ක්‍රියා කිරීමට ඇති හැකියාව, එය මූලික ස්ථාන බල ඇම්ප්ලිෆයර් සහ RF උපාංග සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.
සූර්ය බලශක්ති පද්ධති:SiC හි විශිෂ්ට බල හැසිරවීමේ ගුණාංග ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා (සූර්ය බලය) ඉන්වර්ටර් සහ පරිවර්තක සඳහා කදිම වේ.
විදුලි වාහන (EV):වඩාත් කාර්යක්ෂම බලශක්ති පරිවර්තනය, අඩු තාප උත්පාදනය සහ ඉහළ බල ඝනත්වය සඳහා SiC EV බල දුම්රියවල බහුලව භාවිතා වේ.
SiC උපස්ථරය 4H අර්ධ පරිවාරක වර්ගයේ ගුණාංග සහ යෙදුම
දේපළ:
-
ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප රහිත ඝනත්ව පාලන ශිල්පීය ක්‍රම: ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප නොමැති වීම සහතික කරයි, උපස්ථරයේ ගුණාත්මකභාවය වැඩි දියුණු කරයි.
-
ඒකස්ඵටික පාලන ශිල්පීය ක්‍රම: වැඩිදියුණු කළ ද්‍රව්‍ය ගුණාංග සඳහා තනි ස්ඵටික ව්‍යුහයක් සහතික කරයි.
-
ඇතුළත් කිරීම් පාලන ශිල්පීය ක්‍රම: අපිරිසිදුකම් හෝ ඇතුළත් කිරීම් අවම කරයි, පිරිසිදු උපස්ථරයක් සහතික කරයි.
-
ප්‍රතිරෝධකතා පාලන ශිල්පීය ක්‍රම: උපාංගයේ ක්‍රියාකාරිත්වය සඳහා ඉතා වැදගත් වන විද්‍යුත් ප්‍රතිරෝධකතාව නිවැරදිව පාලනය කිරීමට ඉඩ සලසයි.
-
අපිරිසිදුකම් නියාමනය සහ පාලන ශිල්පීය ක්‍රම: උපස්ථර අඛණ්ඩතාව පවත්වා ගැනීම සඳහා අපද්‍රව්‍ය හඳුන්වාදීම නියාමනය කර සීමා කරයි.
-
උපස්ථර පියවර පළල පාලන ශිල්පීය ක්‍රම: පියවර පළල මත නිවැරදි පාලනයක් ලබා දෙන අතර, උපස්ථරය පුරා අනුකූලතාව සහතික කරයි.
6අඟල් 4H-අර්ධ SiC උපස්ථර පිරිවිතර | ||
| දේපළ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| විෂ්කම්භය (මි.මී.) | 145 මි.මී. - 150 මි.මී. | 145 මි.මී. - 150 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම (අම්) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| වේෆර් දිශානතිය | අක්ෂය මත: ±0.0001° | අක්ෂය මත: ± 0.05° |
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ≤ 15 සෙ.මී.-2 | ≤ 15 සෙ.මී.-2 |
| ප්‍රතිරෝධකතාව (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | නොච් | නොච් |
| දාර බැහැර කිරීම (මි.මී.) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / බඳුන / වෝර්ප් | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| රළුබව | පෝලන්ත Ra ≤ 1.5 µm | පෝලන්ත Ra ≤ 1.5 µm |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් | ≤ 20 µm | ≤ 60 මයික්‍රෝමීටර |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය මගින් තාප තහඩු | සමුච්චිත ≤ 0.05% | සමුච්චිත ≤ 3% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය අනුව බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් ≤ 0.05% | සමුච්චිත ≤ 3% |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | ≤ 0.05% | සමුච්චිත ≤ 4% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් (ප්‍රමාණය) | අවසර නැත > පළල සහ ගැඹුර මි.මී. 02 ට වඩා | අවසර නැත > පළල සහ ගැඹුර මි.මී. 02 ට වඩා |
| ආධාරක ඉස්කුරුප්පු ප්‍රසාරණය | ≤ 500 මයික්‍රෝමීටර | ≤ 500 මයික්‍රෝමීටර |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් පටය හෝ තනි වේෆර් බහාලුම | බහු වේෆර් කැසට් පටය හෝ තනි වේෆර් බහාලුම |
4-අඟල් 4H-අර්ධ පරිවාරක SiC උපස්ථර පිරිවිතර
| පරාමිතිය | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
|---|---|---|
| භෞතික ගුණාංග | ||
| විෂ්කම්භය | 99.5 මි.මී. – 100.0 මි.මී. | 99.5 මි.මී. – 100.0 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| වේෆර් දිශානතිය | අක්ෂය මත: <600h > 0.5° | අක්ෂය මත: <000h > 0.5° |
| විදුලි ගුණාංග | ||
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය (MPD) | ≤1 සෙ.මී⁻² | ≤15 සෙ.මී⁻² |
| ප්‍රතිරෝධකතාව | ≥150 Ω·සෙ.මී. | ≥1.5 Ω·සෙ.මී. |
| ජ්‍යාමිතික ඉවසීම් | ||
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | (0x10) ± 5.0° | (0x10) ± 5.0° |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | 52.5 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. | 52.5 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. |
| ද්විතියික පැතලි දිග | 18.0 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. | 18.0 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. |
| ද්විතියික පැතලි දිශානතිය | ප්‍රයිම් ෆ්ලැට් ± 5.0° සිට 90° CW (Si මුහුණත ඉහළට) | ප්‍රයිම් ෆ්ලැට් ± 5.0° සිට 90° CW (Si මුහුණත ඉහළට) |
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී. | 3 මි.මී. |
| LTV / TTV / දුන්න / වෝර්ප් | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| මතුපිට ගුණාත්මකභාවය | ||
| මතුපිට රළුබව (පෝලන්ත රා) | ≤1 නැනෝමීටර් | ≤1 නැනෝමීටර් |
| මතුපිට රළුබව (CMP Ra) | ≤0.2 නැනෝමීටර් | ≤0.2 නැනෝමීටර් |
| දාර ඉරිතැලීම් (අධි-තීව්‍රතා ආලෝකය) | අවසර නැත | සමුච්චිත දිග ≥10 මි.මී., තනි ඉරිතැලීම ≤2 මි.මී. |
| ෂඩාස්රාකාර තහඩු දෝෂ | ≤0.05% සමුච්චිත ප්‍රදේශය | ≤0.1% සමුච්චිත ප්‍රදේශය |
| බහුවර්ගය ඇතුළත් කිරීමේ ප්‍රදේශ | අවසර නැත | ≤1% සමුච්චිත ප්‍රදේශය |
| දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | ≤0.05% සමුච්චිත ප්‍රදේශය | ≤1% සමුච්චිත ප්‍රදේශය |
| සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | අවසර නැත | ≤1 වේෆර් විෂ්කම්භය සමුච්චිත දිග |
| එජ් චිප්ස් | කිසිවක් අවසර නැත (≥0.2 මි.මී. පළල/ගැඹුර) | ≤5 චිප්ස් (එක් එක් ≤1 මි.මී.) |
| සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | විශේෂයෙන් දක්වා නැති | විශේෂයෙන් දක්වා නැති |
| ඇසුරුම්කරණය | ||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ තනි-වේෆර් බහාලුමක් | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ |
අයදුම්පත:
එමSiC 4H අර්ධ පරිවාරක උපස්ථරප්‍රධාන වශයෙන් අධි බලැති සහ අධි සංඛ්‍යාත ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල භාවිතා වේ, විශේෂයෙන්RF ක්ෂේත්‍රයමෙම උපස්ථර විවිධ යෙදුම් සඳහා ඉතා වැදගත් වේ, ඒවා අතරක්ෂුද්‍ර තරංග සන්නිවේදන පද්ධති, අදියර අරා රේඩාර්, සහරැහැන් රහිත විදුලි අනාවරකඒවායේ ඉහළ තාප සන්නායකතාවය සහ විශිෂ්ට විද්‍යුත් ලක්ෂණ නිසා බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ සහ සන්නිවේදන පද්ධතිවල ඉල්ලුමක් ඇති යෙදුම් සඳහා ඒවා කදිම වේ.
SiC epi wafer 4H-N වර්ගයේ ගුණාංග සහ යෙදුම
SiC 4H-N වර්ගයේ Epi වේෆර් ගුණාංග සහ යෙදුම්
SiC 4H-N වර්ගයේ Epi වේෆර් වල ගුණාංග:
ද්‍රව්‍ය සංයුතිය:
SiC (සිලිකන් කාබයිඩ්): කැපී පෙනෙන දෘඪතාව, ඉහළ තාප සන්නායකතාවය සහ විශිෂ්ට විද්‍යුත් ගුණාංග සඳහා ප්‍රසිද්ධ SiC, ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග සඳහා කදිම වේ.
4H-SiC බහු වර්ගය: 4H-SiC පොලිටයිප් ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදීම්වල ඉහළ කාර්යක්ෂමතාව සහ ස්ථායිතාව සඳහා ප්‍රසිද්ධය.
N-වර්ගයේ තහනම් උත්තේජක භාවිතය: N-වර්ගයේ මාත්‍රණය (නයිට්‍රජන් සමඟ මාත්‍රණය කිරීම) විශිෂ්ට ඉලෙක්ට්‍රෝන සංචලතාවයක් ලබා දෙන අතර, SiC අධි-සංඛ්‍යාත සහ අධි-බල යෙදීම් සඳහා සුදුසු වේ.
ඉහළ තාප සන්නායකතාවය:
SiC වේෆර්වල උසස් තාප සන්නායකතාවක් ඇත, සාමාන්‍යයෙන්120–200 W/m·K, ට්‍රාන්සිස්ටර සහ ඩයෝඩ වැනි අධි බලැති උපාංගවල තාපය ඵලදායී ලෙස කළමනාකරණය කිරීමට ඔවුන්ට ඉඩ සලසයි.
පුළුල් බෑන්ඩ්පරතරය:
බෑන්ඩ්ගැප් එකක් සමඟ3.26 ඊවී, 4H-SiC සාම්ප්‍රදායික සිලිකන් පාදක උපාංග හා සසඳන විට ඉහළ වෝල්ටීයතා, සංඛ්‍යාත සහ උෂ්ණත්වවලදී ක්‍රියා කළ හැකි අතර, එය ඉහළ කාර්යක්ෂමතාවයකින් යුත්, ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත යෙදුම් සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.
විදුලි ගුණාංග:
SiC හි ඉහළ ඉලෙක්ට්‍රෝන සංචලනය සහ සන්නායකතාවය එය වඩාත් සුදුසු කරයිබල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ, වේගවත් මාරු කිරීමේ වේගයන් සහ ඉහළ ධාරා සහ වෝල්ටීයතා හැසිරවීමේ ධාරිතාවක් ලබා දෙන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස වඩාත් කාර්යක්ෂම බල කළමනාකරණ පද්ධති ඇති වේ.
යාන්ත්‍රික හා රසායනික ප්‍රතිරෝධය:
SiC යනු දියමන්ති වලට පමණක් දෙවැනි වන අමාරුම ද්‍රව්‍යයක් වන අතර ඔක්සිකරණයට හා විඛාදනයට බෙහෙවින් ප්‍රතිරෝධී වන අතර එමඟින් කටුක පරිසරවල කල් පවතින බව සහතික කරයි.
SiC 4H-N වර්ගයේ Epi Wafer හි යෙදුම්:
බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ:
SiC 4H-N වර්ගයේ epi වේෆර් බහුලව භාවිතා වන්නේබල MOSFETs, IGBT, සහඩයෝඩසඳහාබල පරිවර්තනයවැනි පද්ධතිවලසූර්ය ඉන්වර්ටර්, විදුලි වාහන, සහබලශක්ති ගබඩා පද්ධති, වැඩිදියුණු කළ කාර්ය සාධනයක් සහ බලශක්ති කාර්යක්ෂමතාවයක් ලබා දෙයි.
විදුලි වාහන (EV):
In විදුලි වාහන බලවේග දුම්රිය, මෝටර් පාලක, සහආරෝපණ මධ්‍යස්ථාන, SiC වේෆර් ඉහළ බලය සහ උෂ්ණත්වයන් හැසිරවීමේ හැකියාව හේතුවෙන් වඩා හොඳ බැටරි කාර්යක්ෂමතාවයක්, වේගවත් ආරෝපණයක් සහ වැඩිදියුණු කළ සමස්ත බලශක්ති කාර්ය සාධනයක් ලබා ගැනීමට උපකාරී වේ.
පුනර්ජනනීය බලශක්ති පද්ධති:
සූර්ය ඉන්වර්ටර්: SiC වේෆර් භාවිතා කරනු ලබන්නේසූර්ය බලශක්ති පද්ධතිසූර්ය පැනලවල සිට AC බලය දක්වා DC බලය පරිවර්තනය කිරීම සඳහා, සමස්ත පද්ධති කාර්යක්ෂමතාව සහ කාර්ය සාධනය වැඩි කිරීම සඳහා.
සුළං ටර්බයින: SiC තාක්ෂණය භාවිතා කරනු ලබන්නේසුළං ටර්බයින පාලන පද්ධති, බල උත්පාදනය සහ පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාව ප්‍රශස්ත කිරීම.
අභ්‍යවකාශ සහ ආරක්ෂක:
SiC වේෆර් භාවිතා කිරීම සඳහා වඩාත් සුදුසු වේඅභ්‍යවකාශ ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණසහහමුදා යෙදුම්, ඇතුළුවරේඩාර් පද්ධතිසහචන්ද්‍රිකා ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ, එහිදී ඉහළ විකිරණ ප්‍රතිරෝධය සහ තාප ස්ථායිතාව ඉතා වැදගත් වේ.
ඉහළ-උෂ්ණත්ව සහ ඉහළ-සංඛ්‍යාත යෙදුම්:
SiC වේෆර් විශිෂ්ටයිඅධි-උෂ්ණත්ව ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ, භාවිතා කරන ලද්දේගුවන් යානා එන්ජින්, අභ්‍යවකාශ යානය, සහකාර්මික තාපන පද්ධති, ඔවුන් අධික තාප තත්ත්වයන් තුළ කාර්ය සාධනය පවත්වා ගන්නා බැවින්. අතිරේකව, ඒවායේ පුළුල් කලාප පරතරය භාවිතා කිරීමට ඉඩ සලසයිඅධි-සංඛ්‍යාත යෙදුම්වගේRF උපාංගසහමයික්‍රෝවේව් සන්නිවේදනය.
| අඟල් 6 N-වර්ගයේ එපිට් අක්ෂීය පිරිවිතර | |||
| පරාමිතිය | ඒකකය | ඉසෙඩ්-එම්ඕඑස් | |
| වර්ගය | සන්නායකතාවය / මාත්‍රණය | - | N-වර්ගය / නයිට්‍රජන් |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථරය | ස්වාරක්ෂක ස්ථරයේ ඝණකම | um | 1 |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර ඝණකම ඉවසීම | % | ±20% | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 1.00E+18 (අ) | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඉවසීම | % | ±20% | |
| 1 වන එපි ස්ථරය | Epi ස්ථරයේ ඝණකම | um | 11.5 ශ්‍රේණිය |
| Epi ස්ථරයේ ඝනකම ඒකාකාරිත්වය | % | ±4% | |
| Epi ස්ථර ඝණකම ඉවසීම((පිරිවිතර- උපරිම ，අවම)/පිරිවිතර) | % | ±5% | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඉවසීම | % | 6% | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඒකාකාරිත්වය (σ /මධ්‍යන්‍ය) | % | ≤5% | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඒකාකාරිත්වය <(උපරිම-මිනිත්තු)/(උපරිම+මිනිත්තු> | % | ≤ 10% | |
| එපිටයික්සල් වේෆර් හැඩය | දුන්න | um | ≤±20 ≤±20 |
| වෝර්ප් | um | ≤30 | |
| ටීටීවී | um | ≤ 10 ≤ 10 | |
| එල්ටීවී | um | ≤2 ≤2 | |
| සාමාන්‍ය ලක්ෂණ | සීරීම් දිග | mm | ≤30 මි.මී. |
| එජ් චිප්ස් | - | කිසිවක් නැත | |
| දෝෂ අර්ථ දැක්වීම | ≥97% (2*2 කින් මනිනු ලැබේ, මාරාන්තික දෝෂ ඇතුළත් වේ: දෝෂ අතරට ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප / විශාල වලවල්, කැරට්, ත්‍රිකෝණාකාර | ||
| ලෝහ දූෂණය | පරමාණු/සෙ.මී.² | d f f ll i ≤5E10 පරමාණු/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K, Ti, Ca සහMn) | |
| පැකේජය | ඇසුරුම් පිරිවිතර | පරිගණක/පෙට්ටිය | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
| අඟල් 8 N-වර්ගයේ එපිටැක්සියල් පිරිවිතර | |||
| පරාමිතිය | ඒකකය | ඉසෙඩ්-එම්ඕඑස් | |
| වර්ගය | සන්නායකතාවය / මාත්‍රණය | - | N-වර්ගය / නයිට්‍රජන් |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථරය | ස්වාරක්ෂක ස්ථරයේ ඝණකම | um | 1 |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර ඝණකම ඉවසීම | % | ±20% | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 1.00E+18 (අ) | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඉවසීම | % | ±20% | |
| 1 වන එපි ස්ථරය | Epi ස්ථර වල ඝණකම සාමාන්‍යය | um | 8~ 12 |
| Epi ස්ථර ඝනකම ඒකාකාරිත්වය (σ/මධ්‍යන්‍යය) | % | ≤2.0 යනු ≤2.0 වේ. | |
| Epi ස්ථර ඝණකම ඉවසීම((පිරිවිතර -උපරිම，අවම)/පිරිවිතර) | % | ±6 ±6 | |
| Epi ස්ථර වල ශුද්ධ සාමාන්‍ය මාත්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| Epi ස්ථර ශුද්ධ මාත්‍රණ ඒකාකාරිත්වය (σ/මධ්‍යන්‍යය) | % | ≤5 | |
| Epi ස්ථර ශුද්ධ මාත්‍රණ ඉවසීම((පිරිවිතර -උපරිම, | % | ± 10.0 | |
| එපිටයික්සල් වේෆර් හැඩය | මි )/ස ) වෝර්ප් | um | ≤50.0 යනු ≤50.0 වේ. |
| දුන්න | um | ± 30.0 | |
| ටීටීවී | um | ≤ 10.0 | |
| එල්ටීවී | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| ජනරාල් ලක්ෂණ | සීරීම් | - | සමුච්චිත දිග≤ 1/2වේෆර් විෂ්කම්භය |
| එජ් චිප්ස් | - | ≤2 චිප්ස්, එක් එක් අරය≤1.5mm | |
| මතුපිට ලෝහ දූෂණය | පරමාණු/සෙ.මී.2 | ≤5E10 පරමාණු/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K, Ti, Ca සහMn) | |
| දෝෂ පරීක්ෂාව | % | ≥ 96.0 (2X2 දෝෂ අතර ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප / විශාල වලවල් ඇතුළත් වේ, කැරට්, ත්‍රිකෝණාකාර දෝෂ, වැටීම්, රේඛීය/IGSF-s, BPD) | |
| මතුපිට ලෝහ දූෂණය | පරමාණු/සෙ.මී.2 | ≤5E10 පරමාණු/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K, Ti, Ca සහMn) | |
| පැකේජය | ඇසුරුම් පිරිවිතර | - | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
SiC වේෆර්ගේ ප්‍රශ්නෝත්තර
Q1: බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල සාම්ප්‍රදායික සිලිකන් වේෆර්වලට වඩා SiC වේෆර් භාවිතා කිරීමේ ප්‍රධාන වාසි මොනවාද?
ඒ 1:
බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල සාම්ප්‍රදායික සිලිකන් (Si) වේෆර් වලට වඩා SiC වේෆර් ප්‍රධාන වාසි කිහිපයක් ලබා දෙයි, ඒවා අතර:
ඉහළ කාර්යක්ෂමතාව: SiC සතුව සිලිකන් (1.1 eV) හා සසඳන විට පුළුල් කලාප පරතරයක් (3.26 eV) ඇති අතර එමඟින් උපාංගවලට ඉහළ වෝල්ටීයතා, සංඛ්‍යාත සහ උෂ්ණත්වවලදී ක්‍රියා කිරීමට ඉඩ සලසයි. මෙය බල පරිවර්තන පද්ධතිවල අඩු බල අලාභයකට සහ ඉහළ කාර්යක්ෂමතාවයකට මග පාදයි.
ඉහළ තාප සන්නායකතාවය: SiC හි තාප සන්නායකතාවය සිලිකන් වලට වඩා බෙහෙවින් වැඩි වන අතර, අධි බලැති යෙදුම්වල වඩා හොඳ තාප විසර්ජනයක් සක්‍රීය කරයි, එමඟින් බල උපාංගවල විශ්වසනීයත්වය සහ ආයු කාලය වැඩි දියුණු වේ.
ඉහළ වෝල්ටීයතාවය සහ ධාරා හැසිරවීම: SiC උපාංගවලට ඉහළ වෝල්ටීයතා සහ ධාරා මට්ටම් හැසිරවිය හැකි අතර, එමඟින් විදුලි වාහන, පුනර්ජනනීය බලශක්ති පද්ධති සහ කාර්මික මෝටර් ධාවක වැනි අධි බල යෙදුම් සඳහා ඒවා සුදුසු වේ.
වේගවත් මාරුවීමේ වේගය: SiC උපාංගවලට වේගවත් මාරු කිරීමේ හැකියාවන් ඇති අතර, එමඟින් බලශක්ති අලාභය සහ පද්ධති ප්‍රමාණය අඩු කිරීමට දායක වන අතර, ඒවා අධි-සංඛ්‍යාත යෙදුම් සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.
Q2: මෝටර් රථ කර්මාන්තයේ SiC වේෆර්වල ප්‍රධාන යෙදුම් මොනවාද?
ඒ 2:
මෝටර් රථ කර්මාන්තයේ දී, SiC වේෆර් ප්‍රධාන වශයෙන් භාවිතා වන්නේ:
විදුලි වාහන (EV) බල දුම්රිය: SiC-පාදක සංරචක වැනිඉන්වර්ටර්සහබල MOSFETsවේගවත් මාරු කිරීමේ වේගයන් සහ ඉහළ ශක්ති ඝනත්වයක් සක්‍රීය කිරීමෙන් විදුලි වාහන බලවේගවල කාර්යක්ෂමතාව සහ ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීම. මෙය දිගු බැටරි ආයු කාලයක් සහ සමස්ත වාහන ක්‍රියාකාරිත්වය වඩා හොඳ කිරීමට හේතු වේ.
ඔන්-බෝඩ් චාජර්: SiC උපාංග වේගවත් ආරෝපණ වේලාවන් සහ වඩා හොඳ තාප කළමනාකරණය සක්‍රීය කිරීමෙන් ඔන්-බෝඩ් ආරෝපණ පද්ධතිවල කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කිරීමට උපකාරී වන අතර, එය අධි බලැති ආරෝපණ මධ්‍යස්ථාන සඳහා EV සඳහා ඉතා වැදගත් වේ.
බැටරි කළමනාකරණ පද්ධති (BMS): SiC තාක්ෂණය කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කරයිබැටරි කළමනාකරණ පද්ධති, වඩා හොඳ වෝල්ටීයතා නියාමනය, ඉහළ බල හැසිරවීම සහ දිගු බැටරි ආයු කාලය සඳහා ඉඩ සලසයි.
DC-DC පරිවර්තක: SiC වේෆර් භාවිතා කරනු ලබන්නේDC-DC පරිවර්තකඅධි වෝල්ටීයතා DC බලය අඩු වෝල්ටීයතා DC බලයක් බවට වඩාත් කාර්යක්ෂමව පරිවර්තනය කිරීමට, බැටරියේ සිට වාහනයේ විවිධ සංරචක දක්වා බලය කළමනාකරණය කිරීම සඳහා විදුලි වාහනවල ඉතා වැදගත් වේ.
අධි වෝල්ටීයතා, අධි උෂ්ණත්ව සහ අධි කාර්යක්ෂම යෙදුම්වල SiC හි උසස් ක්‍රියාකාරිත්වය, මෝටර් රථ කර්මාන්තයේ විදුලි සංචලනය වෙත සංක්‍රමණය වීම සඳහා අත්‍යවශ්‍ය වේ.
අඟල් 6 4H-N වර්ගයේ SiC වේෆරයේ පිරිවිතර | ||
| දේපළ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| ශ්‍රේණිය | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| විෂ්කම්භය | 149.5 මි.මී. – 150.0 මි.මී. | 149.5 මි.මී. – 150.0 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| වේෆර් දිශානතිය | අක්ෂයෙන් පිටත: 4.0° <1120> ± 0.5° දෙසට | අක්ෂයෙන් පිටත: 4.0° <1120> ± 0.5° දෙසට |
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ≤ 0.2 සෙ.මී.² | ≤ 15 සෙ.මී.² |
| ප්‍රතිරෝධකතාව | 0.015 – 0.024 Ω·සෙ.මී. | 0.015 – 0.028 Ω·සෙ.මී. |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | 475 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. | 475 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. |
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී. | 3 මි.මී. |
| LTV/TIV / දුන්න / වෝර්ප් | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| රළුබව | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm |
| CMP රා | ≤ 0.2 නැනෝමීටර් | ≤ 0.5 නැනෝමීටර් |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකය නිසා දාර ඉරිතැලීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් හෙක්ස් තහඩු | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.1% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය අනුව බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 3% |
| දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 5% |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 1 වේෆර් විෂ්කම්භය | |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් | පළල සහ ගැඹුර ≥ 0.2 mm ට අවසර නැත. | 7 අවසර ඇත, ≤ 1 මි.මී. බැගින් |
| නූල් ඉස්කුරුප්පු විස්ථාපනය | < 500 සෙ.මී.³ | < 500 සෙ.මී.³ |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | ||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
අඟල් 8 4H-N වර්ගයේ SiC වේෆරයේ පිරිවිතර | ||
| දේපළ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| ශ්‍රේණිය | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| විෂ්කම්භය | 199.5 මි.මී. – 200.0 මි.මී. | 199.5 මි.මී. – 200.0 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| වේෆර් දිශානතිය | <110> ± 0.5° දෙසට 4.0° | <110> ± 0.5° දෙසට 4.0° |
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ≤ 0.2 සෙ.මී.² | ≤ 5 සෙ.මී.² |
| ප්‍රතිරෝධකතාව | 0.015 – 0.025 Ω·සෙ.මී. | 0.015 – 0.028 Ω·සෙ.මී. |
| උතුම් දිශානතිය | ||
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී. | 3 මි.මී. |
| LTV/TIV / දුන්න / වෝර්ප් | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| රළුබව | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm | පෝලන්ත Ra ≤ 1 nm |
| CMP රා | ≤ 0.2 නැනෝමීටර් | ≤ 0.5 නැනෝමීටර් |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකය නිසා දාර ඉරිතැලීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. | සමුච්චිත දිග ≤ 20 මි.මී. තනි දිග ≤ 2 මි.මී. |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් හෙක්ස් තහඩු | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.1% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය අනුව බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 3% |
| දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 0.05% | සමුච්චිත ප්‍රදේශය ≤ 5% |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | සමුච්චිත දිග ≤ 1 වේෆර් විෂ්කම්භය | |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් | පළල සහ ගැඹුර ≥ 0.2 mm ට අවසර නැත. | 7 අවසර ඇත, ≤ 1 මි.මී. බැගින් |
| නූල් ඉස්කුරුප්පු විස්ථාපනය | < 500 සෙ.මී.³ | < 500 සෙ.මී.³ |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | ||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් | බහු වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
6අඟල් 4H-අර්ධ SiC උපස්ථර පිරිවිතර | ||
| දේපළ | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
| විෂ්කම්භය (මි.මී.) | 145 මි.මී. - 150 මි.මී. | 145 මි.මී. - 150 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම (අම්) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| වේෆර් දිශානතිය | අක්ෂය මත: ±0.0001° | අක්ෂය මත: ± 0.05° |
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය | ≤ 15 සෙ.මී.-2 | ≤ 15 සෙ.මී.-2 |
| ප්‍රතිරෝධකතාව (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | නොච් | නොච් |
| දාර බැහැර කිරීම (මි.මී.) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / බඳුන / වෝර්ප් | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| රළුබව | පෝලන්ත Ra ≤ 1.5 µm | පෝලන්ත Ra ≤ 1.5 µm |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් | ≤ 20 µm | ≤ 60 මයික්‍රෝමීටර |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය මගින් තාප තහඩු | සමුච්චිත ≤ 0.05% | සමුච්චිත ≤ 3% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකය අනුව බහු-වර්ගයේ ප්‍රදේශ | දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් ≤ 0.05% | සමුච්චිත ≤ 3% |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | ≤ 0.05% | සමුච්චිත ≤ 4% |
| ඉහළ තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් එජ් චිප්ස් (ප්‍රමාණය) | අවසර නැත > පළල සහ ගැඹුර මි.මී. 02 ට වඩා | අවසර නැත > පළල සහ ගැඹුර මි.මී. 02 ට වඩා |
| ආධාරක ඉස්කුරුප්පු ප්‍රසාරණය | ≤ 500 මයික්‍රෝමීටර | ≤ 500 මයික්‍රෝමීටර |
| අධි තීව්‍රතා ආලෝකයෙන් සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| ඇසුරුම්කරණය | බහු වේෆර් කැසට් පටය හෝ තනි වේෆර් බහාලුම | බහු වේෆර් කැසට් පටය හෝ තනි වේෆර් බහාලුම |
4-අඟල් 4H-අර්ධ පරිවාරක SiC උපස්ථර පිරිවිතර
| පරාමිතිය | ශුන්‍ය MPD නිෂ්පාදන ශ්‍රේණිය (Z ශ්‍රේණිය) | ඩමී ශ්‍රේණිය (D ශ්‍රේණිය) |
|---|---|---|
| භෞතික ගුණාංග | ||
| විෂ්කම්භය | 99.5 මි.මී. – 100.0 මි.මී. | 99.5 මි.මී. – 100.0 මි.මී. |
| බහු-වර්ගය | 4H | 4H |
| ඝනකම | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| වේෆර් දිශානතිය | අක්ෂය මත: <600h > 0.5° | අක්ෂය මත: <000h > 0.5° |
| විදුලි ගුණාංග | ||
| ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප ඝනත්වය (MPD) | ≤1 සෙ.මී⁻² | ≤15 සෙ.මී⁻² |
| ප්‍රතිරෝධකතාව | ≥150 Ω·සෙ.මී. | ≥1.5 Ω·සෙ.මී. |
| ජ්‍යාමිතික ඉවසීම් | ||
| ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය | (0×10) ± 5.0° | (0×10) ± 5.0° |
| ප්‍රාථමික පැතලි දිග | 52.5 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. | 52.5 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. |
| ද්විතියික පැතලි දිග | 18.0 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. | 18.0 මි.මී. ± 2.0 මි.මී. |
| ද්විතියික පැතලි දිශානතිය | ප්‍රයිම් ෆ්ලැට් ± 5.0° සිට 90° CW (Si මුහුණත ඉහළට) | ප්‍රයිම් ෆ්ලැට් ± 5.0° සිට 90° CW (Si මුහුණත ඉහළට) |
| දාර බැහැර කිරීම | 3 මි.මී. | 3 මි.මී. |
| LTV / TTV / දුන්න / වෝර්ප් | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| මතුපිට ගුණාත්මකභාවය | ||
| මතුපිට රළුබව (පෝලන්ත රා) | ≤1 නැනෝමීටර් | ≤1 නැනෝමීටර් |
| මතුපිට රළුබව (CMP Ra) | ≤0.2 නැනෝමීටර් | ≤0.2 නැනෝමීටර් |
| දාර ඉරිතැලීම් (අධි-තීව්‍රතා ආලෝකය) | අවසර නැත | සමුච්චිත දිග ≥10 මි.මී., තනි ඉරිතැලීම ≤2 මි.මී. |
| ෂඩාස්රාකාර තහඩු දෝෂ | ≤0.05% සමුච්චිත ප්‍රදේශය | ≤0.1% සමුච්චිත ප්‍රදේශය |
| බහුවර්ගය ඇතුළත් කිරීමේ ප්‍රදේශ | අවසර නැත | ≤1% සමුච්චිත ප්‍රදේශය |
| දෘශ්‍ය කාබන් ඇතුළත් කිරීම් | ≤0.05% සමුච්චිත ප්‍රදේශය | ≤1% සමුච්චිත ප්‍රදේශය |
| සිලිකන් මතුපිට සීරීම් | අවසර නැත | ≤1 වේෆර් විෂ්කම්භය සමුච්චිත දිග |
| එජ් චිප්ස් | කිසිවක් අවසර නැත (≥0.2 මි.මී. පළල/ගැඹුර) | ≤5 චිප්ස් (එක් එක් ≤1 මි.මී.) |
| සිලිකන් මතුපිට දූෂණය | විශේෂයෙන් දක්වා නැති | විශේෂයෙන් දක්වා නැති |
| ඇසුරුම්කරණය | ||
| ඇසුරුම්කරණය | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ තනි-වේෆර් බහාලුමක් | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ |
| අඟල් 6 N-වර්ගයේ එපිට් අක්ෂීය පිරිවිතර | |||
| පරාමිතිය | ඒකකය | ඉසෙඩ්-එම්ඕඑස් | |
| වර්ගය | සන්නායකතාවය / මාත්‍රණය | - | N-වර්ගය / නයිට්‍රජන් |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථරය | ස්වාරක්ෂක ස්ථරයේ ඝණකම | um | 1 |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර ඝණකම ඉවසීම | % | ±20% | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 1.00E+18 (අ) | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඉවසීම | % | ±20% | |
| 1 වන එපි ස්ථරය | Epi ස්ථරයේ ඝණකම | um | 11.5 ශ්‍රේණිය |
| Epi ස්ථරයේ ඝනකම ඒකාකාරිත්වය | % | ±4% | |
| Epi ස්ථර ඝණකම ඉවසීම((පිරිවිතර- උපරිම ，අවම)/පිරිවිතර) | % | ±5% | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඉවසීම | % | 6% | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඒකාකාරිත්වය (σ /මධ්‍යන්‍ය) | % | ≤5% | |
| Epi ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඒකාකාරිත්වය <(උපරිම-මිනිත්තු)/(උපරිම+මිනිත්තු> | % | ≤ 10% | |
| එපිටයික්සල් වේෆර් හැඩය | දුන්න | um | ≤±20 ≤±20 |
| වෝර්ප් | um | ≤30 | |
| ටීටීවී | um | ≤ 10 ≤ 10 | |
| එල්ටීවී | um | ≤2 ≤2 | |
| සාමාන්‍ය ලක්ෂණ | සීරීම් දිග | mm | ≤30 මි.මී. |
| එජ් චිප්ස් | - | කිසිවක් නැත | |
| දෝෂ අර්ථ දැක්වීම | ≥97% (2*2 කින් මනිනු ලැබේ, මාරාන්තික දෝෂ ඇතුළත් වේ: දෝෂ අතරට ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප / විශාල වලවල්, කැරට්, ත්‍රිකෝණාකාර | ||
| ලෝහ දූෂණය | පරමාණු/සෙ.මී.² | d f f ll i ≤5E10 පරමාණු/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K, Ti, Ca සහMn) | |
| පැකේජය | ඇසුරුම් පිරිවිතර | පරිගණක/පෙට්ටිය | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
| අඟල් 8 N-වර්ගයේ එපිටැක්සියල් පිරිවිතර | |||
| පරාමිතිය | ඒකකය | ඉසෙඩ්-එම්ඕඑස් | |
| වර්ගය | සන්නායකතාවය / මාත්‍රණය | - | N-වර්ගය / නයිට්‍රජන් |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථරය | ස්වාරක්ෂක ස්ථරයේ ඝණකම | um | 1 |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර ඝණකම ඉවසීම | % | ±20% | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 1.00E+18 (අ) | |
| ස්වාරක්ෂක ස්ථර සාන්ද්‍රණ ඉවසීම | % | ±20% | |
| 1 වන එපි ස්ථරය | Epi ස්ථර වල ඝණකම සාමාන්‍යය | um | 8~ 12 |
| Epi ස්ථර ඝනකම ඒකාකාරිත්වය (σ/මධ්‍යන්‍යය) | % | ≤2.0 යනු ≤2.0 වේ. | |
| Epi ස්ථර ඝණකම ඉවසීම((පිරිවිතර -උපරිම，අවම)/පිරිවිතර) | % | ±6 ±6 | |
| Epi ස්ථර වල ශුද්ධ සාමාන්‍ය මාත්‍රණය | සෙ.මී.-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| Epi ස්ථර ශුද්ධ මාත්‍රණ ඒකාකාරිත්වය (σ/මධ්‍යන්‍යය) | % | ≤5 | |
| Epi ස්ථර ශුද්ධ මාත්‍රණ ඉවසීම((පිරිවිතර -උපරිම, | % | ± 10.0 | |
| එපිටයික්සල් වේෆර් හැඩය | මි )/ස ) වෝර්ප් | um | ≤50.0 යනු ≤50.0 වේ. |
| දුන්න | um | ± 30.0 | |
| ටීටීවී | um | ≤ 10.0 | |
| එල්ටීවී | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| ජනරාල් ලක්ෂණ | සීරීම් | - | සමුච්චිත දිග≤ 1/2වේෆර් විෂ්කම්භය |
| එජ් චිප්ස් | - | ≤2 චිප්ස්, එක් එක් අරය≤1.5mm | |
| මතුපිට ලෝහ දූෂණය | පරමාණු/සෙ.මී.2 | ≤5E10 පරමාණු/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K, Ti, Ca සහMn) | |
| දෝෂ පරීක්ෂාව | % | ≥ 96.0 (2X2 දෝෂ අතර ක්ෂුද්‍ර පයිප්ප / විශාල වලවල් ඇතුළත් වේ, කැරට්, ත්‍රිකෝණාකාර දෝෂ, වැටීම්, රේඛීය/IGSF-s, BPD) | |
| මතුපිට ලෝහ දූෂණය | පරමාණු/සෙ.මී.2 | ≤5E10 පරමාණු/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K, Ti, Ca සහMn) | |
| පැකේජය | ඇසුරුම් පිරිවිතර | - | බහු-වේෆර් කැසට් හෝ තනි වේෆර් බහාලුමක් |
Q1: බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල සාම්ප්‍රදායික සිලිකන් වේෆර්වලට වඩා SiC වේෆර් භාවිතා කිරීමේ ප්‍රධාන වාසි මොනවාද?
ඒ 1:
බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල සාම්ප්‍රදායික සිලිකන් (Si) වේෆර් වලට වඩා SiC වේෆර් ප්‍රධාන වාසි කිහිපයක් ලබා දෙයි, ඒවා අතර:
ඉහළ කාර්යක්ෂමතාව: SiC සතුව සිලිකන් (1.1 eV) හා සසඳන විට පුළුල් කලාප පරතරයක් (3.26 eV) ඇති අතර එමඟින් උපාංගවලට ඉහළ වෝල්ටීයතා, සංඛ්‍යාත සහ උෂ්ණත්වවලදී ක්‍රියා කිරීමට ඉඩ සලසයි. මෙය බල පරිවර්තන පද්ධතිවල අඩු බල අලාභයකට සහ ඉහළ කාර්යක්ෂමතාවයකට මග පාදයි.
ඉහළ තාප සන්නායකතාවය: SiC හි තාප සන්නායකතාවය සිලිකන් වලට වඩා බෙහෙවින් වැඩි වන අතර, අධි බලැති යෙදුම්වල වඩා හොඳ තාප විසර්ජනයක් සක්‍රීය කරයි, එමඟින් බල උපාංගවල විශ්වසනීයත්වය සහ ආයු කාලය වැඩි දියුණු වේ.
ඉහළ වෝල්ටීයතාවය සහ ධාරා හැසිරවීම: SiC උපාංගවලට ඉහළ වෝල්ටීයතා සහ ධාරා මට්ටම් හැසිරවිය හැකි අතර, එමඟින් විදුලි වාහන, පුනර්ජනනීය බලශක්ති පද්ධති සහ කාර්මික මෝටර් ධාවක වැනි අධි බල යෙදුම් සඳහා ඒවා සුදුසු වේ.
වේගවත් මාරුවීමේ වේගය: SiC උපාංගවලට වේගවත් මාරු කිරීමේ හැකියාවන් ඇති අතර, එමඟින් බලශක්ති අලාභය සහ පද්ධති ප්‍රමාණය අඩු කිරීමට දායක වන අතර, ඒවා අධි-සංඛ්‍යාත යෙදුම් සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.
Q2: මෝටර් රථ කර්මාන්තයේ SiC වේෆර්වල ප්‍රධාන යෙදුම් මොනවාද?
ඒ 2:
මෝටර් රථ කර්මාන්තයේ දී, SiC වේෆර් ප්‍රධාන වශයෙන් භාවිතා වන්නේ:
විදුලි වාහන (EV) බල දුම්රිය: SiC-පාදක සංරචක වැනිඉන්වර්ටර්සහබල MOSFETsවේගවත් මාරු කිරීමේ වේගයන් සහ ඉහළ ශක්ති ඝනත්වයක් සක්‍රීය කිරීමෙන් විදුලි වාහන බලවේගවල කාර්යක්ෂමතාව සහ ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීම. මෙය දිගු බැටරි ආයු කාලයක් සහ සමස්ත වාහන ක්‍රියාකාරිත්වය වඩා හොඳ කිරීමට හේතු වේ.
ඔන්-බෝඩ් චාජර්: SiC උපාංග වේගවත් ආරෝපණ වේලාවන් සහ වඩා හොඳ තාප කළමනාකරණය සක්‍රීය කිරීමෙන් ඔන්-බෝඩ් ආරෝපණ පද්ධතිවල කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කිරීමට උපකාරී වන අතර, එය අධි බලැති ආරෝපණ මධ්‍යස්ථාන සඳහා EV සඳහා ඉතා වැදගත් වේ.
බැටරි කළමනාකරණ පද්ධති (BMS): SiC තාක්ෂණය කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කරයිබැටරි කළමනාකරණ පද්ධති, වඩා හොඳ වෝල්ටීයතා නියාමනය, ඉහළ බල හැසිරවීම සහ දිගු බැටරි ආයු කාලය සඳහා ඉඩ සලසයි.
DC-DC පරිවර්තක: SiC වේෆර් භාවිතා කරනු ලබන්නේDC-DC පරිවර්තකඅධි වෝල්ටීයතා DC බලය අඩු වෝල්ටීයතා DC බලයක් බවට වඩාත් කාර්යක්ෂමව පරිවර්තනය කිරීමට, බැටරියේ සිට වාහනයේ විවිධ සංරචක දක්වා බලය කළමනාකරණය කිරීම සඳහා විදුලි වාහනවල ඉතා වැදගත් වේ.
අධි වෝල්ටීයතා, අධි උෂ්ණත්ව සහ අධි කාර්යක්ෂම යෙදුම්වල SiC හි උසස් ක්‍රියාකාරිත්වය, මෝටර් රථ කර්මාන්තයේ විදුලි සංචලනය වෙත සංක්‍රමණය වීම සඳහා අත්‍යවශ්‍ය වේ.
