MOS හෝ SBD නිෂ්පාදන පර්යේෂණ සහ ව්‍යාජ ශ්‍රේණිය සඳහා අඟල් 6 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N වර්ගය

MOS හෝ SBD නිෂ්පාදන පර්යේෂණ සඳහා අඟල් 6 150 සිලිකන් කාබයිඩ් SiC Wafers 4H-N වර්ගය සහ ව්‍යාජ ශ්‍රේණියේ විශේෂාංග සහිත රූපය

කෙටි විස්තරය:

අඟල් 6 සිලිකන් කාබයිඩ් තනි ස්ඵටික උපස්ථරය විශිෂ්ට භෞතික හා රසායනික ගුණ සහිත ඉහළ කාර්ය සාධන ද්රව්යයකි.ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් සිලිකන් කාබයිඩ් තනි ස්ඵටික ද්‍රව්‍ය වලින් නිපදවා ඇති එය උසස් තාප සන්නායකතාවය, යාන්ත්‍රික ස්ථායීතාවය සහ ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය ප්‍රදර්ශනය කරයි.නිරවද්‍ය නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන් සහ උසස් තත්ත්වයේ ද්‍රව්‍ය වලින් සාදන ලද මෙම උපස්ථරය විවිධ ක්ෂේත්‍රවල ඉහළ කාර්යක්ෂමතාවයෙන් යුත් ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග නිපදවීම සඳහා වඩාත් කැමති ද්‍රව්‍ය බවට පත්ව ඇත.

අපට විද්‍යුත් තැපෑල එවන්න

නිෂ්පාදන විස්තර

නිෂ්පාදන ටැග්

යෙදුම් ක්ෂේත්ර

අඟල් 6 සිලිකන් කාබයිඩ් තනි ස්ඵටික උපස්ථරය බහු කර්මාන්ත වලදී තීරණාත්මක කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි.පළමුව, එය බලශක්ති ට්‍රාන්සිස්ටර, ඒකාබද්ධ පරිපථ සහ බල මොඩියුල වැනි අධි බලැති ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ බහුලව භාවිතා වේ.එහි ඉහළ තාප සන්නායකතාවය සහ ඉහළ-උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය වඩා හොඳ තාපය විසුරුවා හැරීමට ඉඩ සලසයි, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස කාර්යක්ෂමතාව සහ විශ්වසනීයත්වය වැඩි දියුණු වේ.දෙවනුව, නව ද්‍රව්‍ය සහ උපාංග සංවර්ධනය සඳහා පර්යේෂණ ක්ෂේත්‍රවල සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් අත්‍යවශ්‍ය වේ.මීට අමතරව, සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් LED සහ ලේසර් ඩයෝඩ නිෂ්පාදනය ඇතුළුව දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික ක්ෂේත්‍රයේ පුළුල් යෙදුම් සොයා ගනී.

නිෂ්පාදන පිරිවිතර

අඟල් 6 සිලිකන් කාබයිඩ් තනි ස්ඵටික උපස්ථරයේ විෂ්කම්භය අඟල් 6 (ආසන්න වශයෙන් 152.4 මි.මී.) වේ.මතුපිට රළුබව Ra <0.5 nm වන අතර ඝනකම 600 ± 25 μm වේ.පාරිභෝගික අවශ්‍යතා මත පදනම්ව, උපස්ථරය N-type හෝ P-type සන්නායකතාවයෙන් අභිරුචිකරණය කළ හැක.එපමණක් නොව, එය පීඩනයට හා කම්පනයට ඔරොත්තු දීමේ හැකියාව ඇති සුවිශේෂී යාන්ත්රික ස්ථාවරත්වයක් පෙන්නුම් කරයි.

විෂ්කම්භය		150±2.0mm (අඟල් 6)
ඝනකම		350 μm±25μm
දිශානතිය		අක්ෂය මත: <0001>±0.5°		අක්ෂය: 4.0° 1120±0.5° දෙසට
පොලිටයිප්		4H
ප්‍රතිරෝධකතාව (Ω·cm)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
ප්‍රාථමික පැතලි දිශානතිය		{10-10}±5.0°
ප්‍රාථමික පැතලි දිග (මි.මී.)		47.5 mm±2.5 mm
දාරය		චැම්ෆර්
TTV/Bow/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM ඉදිරිපස (Si-face)		පෝලන්ත Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
තැඹිලි පීල් / වලවල් / ඉරිතැලීම් / දූෂණය / පැල්ලම් / ඉරි තැලීම්		කිසිවක් නැත	කිසිවක් නැත		කිසිවක් නැත
ඉන්ඩෙන්ට්		කිසිවක් නැත	කිසිවක් නැත		කිසිවක් නැත

අඟල් 6 සිලිකන් කාබයිඩ් තනි ස්ඵටික උපස්ථරය අර්ධ සන්නායක, පර්යේෂණ, සහ දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික කර්මාන්තවල බහුලව භාවිතා වන ඉහළ ක්‍රියාකාරී ද්‍රව්‍යයකි.එය විශිෂ්ට තාප සන්නායකතාව, යාන්ත්‍රික ස්ථායීතාවය සහ ඉහළ-උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය ලබා දෙන අතර, අධි බලැති ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග නිපදවීමට සහ නව ද්‍රව්‍ය පර්යේෂණ සඳහා සුදුසු වේ.විවිධ පාරිභෝගික ඉල්ලීම් සපුරාලීම සඳහා අපි විවිධ පිරිවිතරයන් සහ අභිරුචිකරණ විකල්ප ලබා දෙන්නෙමු.සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර් පිළිබඳ වැඩි විස්තර සඳහා අප අමතන්න!