FZ CZ Si වේෆර් තොගයේ අඟල් 12 සිලිකන් වේෆර් ප්‍රයිම් හෝ ටෙස්ට්

ඔප දැමූ වේෆර්ස්

දර්පණ මතුපිටක් ලබා ගැනීම සඳහා දෙපස විශේෂයෙන් ඔප දැමූ සිලිකන් වේෆර්.සංශුද්ධතාවය සහ සමතලා බව වැනි උසස් ලක්ෂණ මෙම වේෆරයේ හොඳම ලක්ෂණ නිර්වචනය කරයි.

Undoed Silicon Wafers

ඒවා ආවේණික සිලිකන් වේෆර් ලෙසද හැඳින්වේ.මෙම අර්ධ සන්නායකය වේෆරය පුරාවට කිසිදු මාත්‍රාවක් නොමැතිව සිලිකන් වල පිරිසිදු ස්ඵටික ආකාරයක් වන අතර එමඟින් එය පරිපූර්ණ සහ පරිපූර්ණ අර්ධ සන්නායකයක් බවට පත් කරයි.

මාත්‍රණය කළ සිලිකන් වේෆර්

N-type සහ P-type යනු මාත්‍රණය කරන ලද සිලිකන් වේෆර් වර්ග දෙකයි.

N-වර්ගයේ මාත්‍රණය කළ සිලිකන් වේෆර්වල ආසනික් හෝ පොස්පරස් අඩංගු වේ.එය උසස් CMOS උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා බහුලව භාවිතා වේ.

බෝරෝන් මාත්‍රණය කළ P-වර්ගයේ සිලිකන් වේෆර්.බොහෝ විට, එය මුද්රිත පරිපථ හෝ ඡායාරූප ශිලා ලේඛන සෑදීම සඳහා භාවිතා වේ.

එපිටැක්සියල් වේෆර්ස්

Epitaxial වේෆර් යනු මතුපිට අඛණ්ඩතාව ලබා ගැනීම සඳහා භාවිතා කරන සාම්ප්‍රදායික වේෆර් වේ.Epitaxial වේෆර් ඝන සහ තුනී වේෆර් වලින් ලබා ගත හැකිය.

උපාංගවල බලශක්ති පරිභෝජනය සහ බල පාලනය නියාමනය කිරීම සඳහා බහු ස්ථර epitaxial වේෆර් සහ ඝන epitaxial වේෆර් ද භාවිතා වේ.

තුනී epitaxial වේෆර් සාමාන්යයෙන් උසස් MOS උපකරණවල භාවිතා වේ.

SOI වේෆර්ස්

සම්පූර්ණ සිලිකන් වේෆරයෙන් තනි ස්ඵටික සිලිකන් සියුම් ස්ථර විදුලියෙන් පරිවරණය කිරීමට මෙම වේෆර් භාවිතා කරයි.SOI වේෆර් සාමාන්යයෙන් සිලිකන් ෆෝටෝනික්ස් සහ ඉහළ කාර්ය සාධනය RF යෙදුම්වල භාවිතා වේ.ක්‍රියාකාරීත්වය වැඩි දියුණු කිරීමට උපකාර වන ක්ෂුද්‍ර ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගවල පරපෝෂිත උපාංග ධාරිතාව අඩු කිරීමට SOI වේෆර් ද භාවිතා වේ.

වේෆර් සෑදීම අපහසු ඇයි?

අස්වැන්න අනුව අඟල් 12 සිලිකන් වේෆර් පෙති කැපීම ඉතා අපහසුය.සිලිකන් තද වුවත් එය බිඳෙන සුළුය.කියත් වේෆර් දාර කැඩී යාම නිසා රළු ප්‍රදේශ නිර්මාණය වේ.දියමන්ති තැටි වේෆර් දාර සුමට කිරීමට සහ ඕනෑම හානියක් ඉවත් කිරීමට භාවිතා කරයි.කැපීමෙන් පසු, වේෆර්වල දැන් තියුණු දාර ඇති බැවින් පහසුවෙන් කැඩී යයි.වේෆර් දාර සැලසුම් කර ඇත්තේ බිඳෙනසුලු, තියුණු දාර ඉවත් කර ලිස්සා යාමේ අවස්ථාව අඩු වන ආකාරයට ය.දාර සෑදීමේ ක්‍රියාකාරිත්වයේ ප්‍රති result ලයක් ලෙස, වේෆරයේ විෂ්කම්භය සකස් කර ඇත, වේෆර් වටකුරු වේ (පෙති කැපීමෙන් පසු, කපා දැමූ වේෆර් ඕවලාකාර වේ), සහ සටහන් හෝ දිශානත ගුවන් යානා සෑදී හෝ ප්‍රමාණ කර ඇත.